最後更新:2026年10月23日膜厚量測設備

Iris G2的特點與規格

Onto Innovation・膜厚量測設備

Onto Innovation 的光學式薄膜量測設備,可同時量測一般膜層與關鍵膜層。也支援 10~50Å 的極薄多層膜。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

Iris G2 是 Onto Innovation 的光學式薄膜量測設備。從先進節點到成熟・特殊元件,可同時量測一般膜層與關鍵膜層,支援電晶體的高速化、低功耗化與可靠度提升。

隨著元件日益複雜,膜層更薄且更均勻,因此需要穩定的一體化(all-in-one)薄膜量測。Iris G2 透過管理閘極膜的品質與有效膜厚,支援元件的微縮與性能提升。

針對 10~50Å 的極薄多層膜,一般膜層採用 DUV 光譜橢圓偏光量測,關鍵膜層則結合獨家的雷射橢圓偏光量測技術。1 個平台即可進行 2D/3D 的 OCD 量測,以及晶圓翹曲・薄膜應力量測,因此可簡化機群管理並抑制整體設備投資。

主要規格

量測方式DUV 光譜橢圓偏光量測+獨家雷射橢圓偏光量測
對象一般膜層・關鍵膜層(10~50Å 的極薄多層膜)
特點亦可量測 2D/3D OCD・翹曲・薄膜應力
主要用途先進・成熟・特殊元件的閘極膜管理

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

DUV 光譜橢圓偏光量測+獨家雷射橢圓偏光量測
量測 10~50Å 的極薄多層膜
亦可量測 2D/3D OCD・翹曲・薄膜應力

主要用途

  • 閘極膜等關鍵膜層・一般膜層的膜厚管理
  • 先進・成熟・特殊元件的邏輯・記憶體

製造商

Onto Innovation(總部:美國)

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資料來源

  1. Onto Innovation 官方產品頁面:Onto Innovation Iris G2