Iris G2とは
Iris G2 は、Onto Innovation の光学式薄膜計測装置です。先端ノードから成熟・特殊デバイスまで、共通膜と重要膜の両方を測り、トランジスタの高速化、低消費電力化、信頼性向上を支えます。
デバイスの複雑化で膜はより薄く均一になり、安定したオールインワンの薄膜計測が求められています。Iris G2 はゲート膜の品質と実効膜厚を管理することで、デバイスの微細化と性能向上を支えます。
10〜50Å の極薄多層膜に対し、共通膜には DUV 分光エリプソメトリーを、重要膜には独自のレーザーエリプソメトリー技術を組み合わせて使います。1つのプラットフォームで 2D／3D の OCD 計測、ウェーハの反り・膜応力も測れるため、フリート管理を簡素化し、全体の設備投資を抑えられます。
主な特長
- •DUV 分光エリプソメトリー＋独自レーザーエリプソメトリー
- •10〜50Å の極薄多層膜を計測
- •2D／3D OCD・反り・膜応力も計測
主な仕様
| 測定方式 | DUV 分光エリプソメトリー＋独自レーザーエリプソメトリー |
|---|---|
| 対象 | 共通膜・重要膜（10〜50Å の極薄多層膜） |
| 特徴 | 2D/3D OCD・反り・膜応力も計測 |
| 主要用途 | 先端・成熟・特殊デバイスのゲート膜管理 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | KLASpectraFilm™ F10 | Onto InnovationIris™ G2 |
|---|---|---|
| 測定方式 | 広帯域分光エリプソメトリー（BBSE） | DUV 分光エリプソメトリー＋独自レーザーエリプソメトリー |
| 対象 | 2nm 以下 GAA・最新 DRAM の重要膜 | 共通膜・重要膜（10〜50Å の極薄多層膜） |
| 特徴 | サブオングストロームの精度 | 2D/3D OCD・反り・膜応力も計測 |
1機種だけが掲載している項目（2件）
| 関連機種 | SpectraFilm F20（3D NAND）・Aleris 9350（一般膜） | — |
|---|---|---|
| 主要用途 | — | 先端・成熟・特殊デバイスのゲート膜管理 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •ゲート膜など重要膜・共通膜の膜厚管理
- •先端・成熟・特殊デバイスのロジック・メモリ
掲載カテゴリ
Iris G2は次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
Onto Innovation
Rudolph Technologies と Nanometrics の統合で誕生した検査・計測メーカー。光学検査、膜厚計測、先端パッケージング計測に強み。
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関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-06