SEGul-200 是愛發科（ULVAC）的濺鍍設備。以獨家開發的 RaSE 法（Radical assist Sputter Epitaxy），實現用於功率元件、光電元件、RF 元件之 GaN 的磊晶成長。
以此技術解決 GaN 元件製造中元件設計自由度、成本與環境負荷等課題。由於採用濺鍍，不需要特殊氣體的尾氣處理設備。
製程溫度為 600～800℃，使用的氣體為 Ar 與 N₂。也可藉摻雜成長 n 型 GaN。在 Φ200mm 區域內，膜厚與電阻分布為 ±10%。製程室最多可搭載 3 室，可從開發延伸到量產，能處理 Φ50～200mm 的基板。