CME 是愛發科（ULVAC）的量產用 PE-CVD 設備。適合沉積矽系絕緣膜與阻障膜等。採托盤傳送方式，可對應各種基板，具優異的成本效益。
支援 27.12MHz 的高密度電漿製程，可沉積 SiH₄ 系的 SiO₂、SiNx、SiON、a-Si，以及 TEOS 系的 SiO₂ 膜。可用 NF₃＋Ar 電漿清潔腔體。
由於採托盤傳送，可在各種種類與尺寸的基板上沉積。最大基板尺寸為 CME-200E 200mm 見方、CME-400E 300 × 400mm、CME-500E 500mm 見方。用於功率元件、LED・LD・高速元件、OLED、太陽電池、MEMS。