SEGul-200（GaN スパッタエピ装置）

独自の RaSE 法で GaN をスパッタでエピタキシャル成長させる装置。特殊ガスの除害設備が要らない。

SEGul-200とは

SEGul-200 は、アルバックのスパッタリング装置です。独自に開発した RaSE 法（Radical assist Sputter Epitaxy）で、パワーデバイス、オプトデバイス、RF デバイスに使う GaN のエピタキシャル成長を実現します。

この技術で、GaN デバイス製造での素子設計の自由度、コスト、環境負荷といった課題を解決します。スパッタリングのため、特殊ガスの除害設備が要りません。

プロセス温度は 600〜800℃ で、使うガスは Ar と N₂ です。ドーピングによる n 型 GaN の成長もできます。Φ200mm エリアで膜厚と抵抗の分布は ±10% です。プロセス室は最大 3 室搭載でき、開発から量産まで対応し、Φ50〜200mm の基板を扱えます。

方式	RaSE（Radical assist Sputter Epitaxy）
プロセス温度	600〜800℃（ガスは Ar・N₂）
分布	膜厚・抵抗 ±10%（Φ200mm エリア）

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

SEGul-200は次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

化合物半導体製造装置は、GaAs・InP・GaN・SiCなどの化合物半導体デバイス（パワー半導体・RF/マイクロ波デバイス・光デバイス）の製造に特化した装置群です。

真空技術を核に、スパッタ・CVD・蒸着・エッチング・測定装置を手がける日本の総合真空機器メーカー。半導体に加えFPD・太陽電池にも展開。