CC-200 是愛發科（ULVAC）小型且易於使用的 PE-CVD 設備。可對應研發到少量生產。
支援 27.12MHz 的高密度電漿製程，可沉積 SiH₄ 系的 SiO₂、SiNx、SiON、a-Si，以及 TEOS 系的 SiO₂ 膜。可用 CF₄＋O₂ 電漿清潔腔體。
也可對應 OLED 用的低溫沉積加熱器，以托盤傳送處理多種基板尺寸。用於功率元件、LED・LD・高速元件等化合物半導體、OLED 開發、太陽電池開發、MEMS。
CC-200的特點與規格
愛發科（ULVAC）・PECVD（電漿 CVD）
可用於研發到少量生產的小型 PE-CVD 設備。支援 27.12MHz 的高密度電漿。
產品概要
主要規格
| 電漿 | 27.12 MHz 高密度電漿 |
|---|---|
| 膜種 | SiO₂・SiNx・SiON・a-Si（SiH₄ 系）・TEOS SiO₂ |
| 清潔 | CF₄＋O₂ 電漿 |
規格依廠商公開資料整理，實際規格與選配請以廠商資料為準。
主要特點
27.12MHz 的高密度電漿
SiH₄ 系・TEOS 系的膜
以托盤傳送處理多種基板
主要用途
- 功率・化合物半導體元件的絕緣膜
- MEMS
製造商
愛發科（ULVAC）（總部：日本）
所屬設備分類
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