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石英・セラミック部品メーカー6

石英・セラミック部品は、高温・プラズマ・腐食性ガスにさらされる製造装置のチャンバー内部で使われる部材です。石英ガラス製のチューブ・ベル・ボートは拡散炉やCVD装置で、アルミナ・窒化アルミ・炭化ケイ素などのセラミック部品はヒーター・静電チャック(ESC)・フォーカスリングなどに用いられます。高純度・耐熱・耐プラズマ性が要求され、コンタミネーション(汚染)を抑えながらプロセスの安定性とウェハ品質を支えます。

メーカー 6関連カテゴリ 6

主要特徴

高温・プラズマ・腐食性ガス環境のチャンバー内部材
石英:拡散炉・CVDのチューブ/ボート/ベルなど
セラミック:静電チャック・ヒーター・フォーカスリングなど
高純度・耐熱・耐プラズマ性でコンタミを抑制

よくある質問

なぜ石英やセラミックが使われるのですか?
高温・プラズマ・腐食性ガスに耐え、金属汚染を起こしにくい高純度材料だからです。プロセスの安定性とウェハの清浄度を保てます。
消耗部品としての扱いはどうなりますか?
プラズマやガスにさらされ徐々に消耗するため、定期交換や洗浄/再生が必要です。ファブの稼働コストに影響します。

メーカー

6社の主要メーカー

日本ガイシ(NGK Insulators)日本

セラミック技術を基盤とする総合メーカー。半導体製造装置向けに静電チャック(ESC)・セラミックヒーター・サセプタなど、高純度・高耐熱のチャンバー内部材を供給する。

装置用セラミック部品
静電チャック(ESC)セラミックヒーターサセプタ
  • 窒化アルミ(AlN)・アルミナ系セラミックの材料技術
  • 静電チャック・セラミックヒーターで高いシェア
京セラ日本

ファインセラミックス技術を核とする国内大手メーカー。半導体パッケージ基板・水晶デバイス・電子部品を幅広く展開し、半導体実装の基盤材料を供給する。

パッケージ・電子部品
セラミックパッケージ基板水晶デバイス
  • セラミックパッケージ基板で世界トップクラス
  • 水晶デバイス・電子部品にも強み
TOTO日本

衛生陶器で知られる一方、ファインセラミック事業として半導体製造装置向けの静電チャック(ESC)を供給。多孔質セラミックの成形・焼成技術を強みとする。

装置用セラミック部品
静電チャック(ESC)セラミック部材
  • ファインセラミックの成形・焼成技術
  • 静電チャック(ESC)の主要サプライヤー
信越石英日本

高純度合成石英ガラスの専業メーカー。拡散炉用チューブ・ボート、エッチング装置用の石英リング・窓など、金属汚染を嫌うプロセスで使われる石英部材を供給する。

石英ガラス部材
石英チューブ・ボート石英リング・窓
  • 合成石英ガラスの高純度化技術
  • 拡散炉用チューブ・ボートで高い実績
東ソー(Tosoh)日本

スパッタリングターゲット・高純度化学品・石英ガラス製品の総合化学メーカー。半導体向けでは銅・タンタル・窒化チタンなどのスパッタリングターゲットで日本最大手級。ALD/CVD向け前駆体(有機金属化合物)でも重要サプライヤー。

スパッタリングターゲット
Cu・Ta・TaN・TiN各種ターゲット
ALD前駆体
Hf・Zr・Al・Ti系有機金属前駆体
石英ガラス
高純度合成石英(フォトマスク基板用)
  • スパッタリングターゲット材料で国内トップシェア
  • ALD/CVD前駆体の独自開発力
フェローテックホールディングス日本

熱電モジュール・シリコン部品・石英ガラス部品など半導体製造装置向けコンポーネントの日本大手。中国での半導体部材生産にも積極投資。

熱電モジュール
ペルチェモジュールTEC
シリコン部品
シリコンリングシリコンフォーカスリング
真空シール
磁性流体シール
  • サーモエレクトリックモジュールで世界シェア首位級
  • 石英・セラミック・シリコン部品の一貫製造

関連カテゴリ

消耗部品・部品洗浄/再生
装置制御ソフトウェア・受託開発
ガス供給・流量制御(MFC)
RF電源・電源システム
真空ポンプ
ウェハキャリア・FOUP・EFEM

関連用語

石英部品とは →静電チャック(ESC)とは →フォーカスリング(エッジリング)とは →シャワーヘッドとは →チャンバーライナーとは →イットリア溶射コーティングとは →セラミックヒーター(AlN)とは →サセプタとは →Oリング・シール材とは →RF電源(高周波電源)とは →インピーダンス整合器とは →リモートプラズマ源(RPS)とは →

比較・違いを学ぶ

石英部品とセラミック部品の違い(装置内部材の比較)
半導体製造装置のチャンバー内部材は、高温・プラズマ・腐食性ガスという過酷な環境で、金属汚染を起こさずに機能しなければなりません。この要求に応えるのが石英ガラスと
原子層エッチング(ALE)とプラズマエッチング(RIE)の違い
反応性イオンエッチング(RIE)は半導体前工程の主力エッチング技術で、プラズマで活性化したラジカル・イオンを使って連続的に薄膜を除去します。原子層エッチング(A
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