Mattson Technology/レーザーアニール装置

Millios™

スパイクアニールの上にアークランプのフラッシュを重ねるミリ秒アニール装置(フラッシュアシスト RTP)。

Milliosとは

Millios は、Mattson Technology のミリ秒アニールシステムです。独自の水冷壁アルゴンアークランプ技術を使い、ウェーハ表面をミリ秒単位で加熱します。ウェーハの表面と裏面の温度をリアルタイムで計測・制御します。

動作温度は 250〜1,050°C で、最大 600°C の温度ジャンプが可能です。0.2〜0.9 の幅広いウェーハ放射率に対応し、ミリ秒パルスの時間を調整でき、スパイクアニールとフラッシュを組み合わせた処理にも対応します。ミリ秒単位の温度制御と最適化した搬送で、ウェーハの応力を管理し割れを防ぎます。

メーカーは、極浅接合の形成、High-k 材料のパッシベーション、金属シリサイド形成に最適な技術ソリューションとしています。トランジスタ製造のソース/ドレインアニール、HALO アニール、ニッケル・チタンシリサイド形成や、次世代 DRAM の製造に使われます。

主な特長

  • •水冷壁アルゴンアークランプによるミリ秒アニール
  • •表面・裏面温度のリアルタイム計測・制御
  • •250〜1,050°C、最大 600°C の温度ジャンプ
  • •スパイク+フラッシュの組み合わせ処理

主な仕様

加熱方式アークランプによるフラッシュ(ランプ式)
処理時間実効 1 ~ 3 ミリ秒
主要用途先端シリサイド・極浅接合の形成

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目Applied MaterialsVantage® Astra™ DSASCREENホールディングスLA-3100(フラッシュランプアニール装置)Mattson TechnologyMillios™
加熱方式ダイオードレーザー走査(ダイナミックサーフェスアニール)キセノンフラッシュランプ(ミリ秒)アークランプによるフラッシュ(ランプ式)
主要用途ニッケルシリサイドなどコンタクト層の形成ソース/ドレインの不純物活性化先端シリサイド・極浅接合の形成
処理時間1 ミリ秒未満—実効 1 ~ 3 ミリ秒
1機種だけが掲載している項目(2件)
雰囲気—枚葉処理・低酸素雰囲気—
特徴—加熱照射時のウェーハ温度を実測—

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •極浅接合・ソース/ドレイン・HALO アニール
  • •High-k アニール、Ni/Ti シリサイド形成
  • •次世代 DRAM

掲載カテゴリ

Milliosは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

Mattson Technology

急速熱処理(RTP)・ドライストリップ(プラズマアッシャー)の専業装置メーカー。先端ロジック・メモリのゲート形成・レジスト除去工程を支える。

Mattson Technology の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

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関連用語

出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-06
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