クロスセクションポリッシャ™ IB-19530CP
多目的ステージにホルダを付け替えて、断面イオンミリング・平面ミリング・スパッタコートを行う断面試料作製装置。
クロスセクションポリッシャ IB-19530CPとは
IB-19530CP は、日本電子（JEOL）のクロスセクションポリッシャ（イオンビーム加工装置）です。アルゴンイオンビームで、機械研磨によって入る試料のキズや歪みを取り除き、断面観察や結晶構造解析に適した高品質な試料をつくります。
加速電圧は 2〜8kV で、ミリング速度は加速電圧 8kV で 500µm/h 以上（Si 換算、エッジ距離 100µm）です。高速加工と仕上げ加工を自動で切り替える自動加工プログラムと、試料の温度上昇を抑える間欠加工モードを備えます。
マルチパーパスステージで、標準の断面ミリング、最大幅 8mm の広域断面ミリング、平面ミリング、回転断面ミリング、イオンビームスパッタコーティングに対応します。半導体デバイスや電子部品の故障解析、材料評価の前処理に使われます。
主な特長
- •加速電圧 2〜8kV、ミリング速度 500µm/h 以上
- •高速加工・仕上げ加工の自動切替
- •間欠加工モードで温度上昇を抑制
- •広域断面（幅 8mm）・平面・回転断面ミリング
主な仕様
| 加工方式 | Ar イオンビームによる断面ミリング |
|---|---|
| 加工速度 | 500 µm/h（加速電圧 2 ～ 8 kV） |
| 加工範囲 | 最大試料 11 × 10 × 2 mm |
| 主要用途 | SEM・EPMA・オージェ分析用の断面作製 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 日立ハイテクイオンミリング装置 ArBlade® 5000 | 日本電子（JEOL）クロスセクションポリッシャ™ IB-19530CP | サーモフィッシャーサイエンティフィックHelios 5 PFIB DualBeam |
|---|---|---|---|
| 加工方式 | Ar イオンミリング（断面／フラットのハイブリッド） | Ar イオンビームによる断面ミリング | プラズマ FIB（独自ガス化学による層剥離） |
| 加工範囲 | 最大ミリング幅 8 mm（ワイドエリア断面ホルダ） | 最大試料 11 × 10 × 2 mm | サイト指定・大面積の断面／デレイヤリング |
| 主要用途 | SEM 観察用の断面・平面試料作製 | SEM・EPMA・オージェ分析用の断面作製 | 先端ロジック・3D NAND・2.5D/3D パッケージの物理解析 |
| 加工速度 | 断面ミリングレート 1 mm/h 以上 | 500 µm/h（加速電圧 2 ～ 8 kV） | — |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •故障解析・材料評価の断面試料作製
- •結晶構造解析用の試料作製
掲載カテゴリ
クロスセクションポリッシャ IB-19530CPは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
日本電子（JEOL）
電子顕微鏡・電子線描画装置・分析機器の総合メーカー。半導体分野ではマスク描画用EB装置・電子線露光装置、研究用TEM/SEMを提供。
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関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-06