最後更新:2026年10月23日奈米壓印微影(NIL)

FPA-1200NZ2C的特點與規格

佳能(Canon)・奈米壓印微影(NIL)

佳能(Canon)的奈米壓印半導體製造設備,將刻有電路圖形的光罩(模具)像蓋印章一樣壓在晶圓上的光阻進行轉印。2023 年上市。

目錄6 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 常見問題
  5. 製造商與在台據點
  6. 資料來源

產品概要

FPA-1200NZ2C 是佳能(Canon)的奈米壓印半導體製造設備。不像投影曝光那樣以光燒製電路,而是採用奈米壓印微影(NIL),將刻有電路圖形的光罩(模具)像蓋印章一樣壓在晶圓上的光阻進行轉印。

最小線寬為 14nm,可支援相當於 5nm 節點的邏輯製造。由於不經光學系統,複雜的 2 維・3 維電路圖形也能以 1 次壓印形成。因不受光源波長限制,與投影曝光機相比可大幅降低功耗與 CO₂ 排放,也能降低 CoO(持有成本)。

以新開發的環境控制技術抑制微粒的產生與混入。規格為壓印範圍 26×33mm、6 吋光罩、300mm 晶圓、疊對精度 4nm 以下。除邏輯・記憶體外,用途也擴展到 XR 用超穎透鏡(metalens)等微細結構的製造。

主要規格

方式奈米壓印(步進重複)
最小線寬14 nm(相當於 5nm 節點)
特點不經光學系統,低功耗・低成本
主要用途先進邏輯・記憶體的電路形成

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

以奈米壓印方式達到最小線寬 14nm(相當於 5nm 節點)
以 1 次壓印形成複雜的 2D・3D 圖形
不具光學系統,低功耗・低 CoO
疊對精度 4nm 以下,支援 300mm 晶圓

主要用途

  • 先進邏輯・記憶體的電路形成
  • XR 用超穎透鏡等微細光學元件

FPA-1200NZ2C的常見問題

奈米壓印與 EUV 曝光有何不同?
EUV 是以極紫外光投影光罩圖形進行燒製。奈米壓印則是將模具直接壓在光阻上轉印,因此不需要大型光源與投影光學系統,可抑制功耗。

製造商

佳能(Canon)(總部:日本)

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資料來源

  1. 佳能(Canon)官方產品頁面:FPA-1200NZ2C