TWINSCAN EXE:5200B 是艾司摩爾第 2 款 0.55 NA（High-NA）EUV 曝光機，為 EXE:5000 的後繼機種。設計用於支援未滿 2nm 邏輯節點與先進記憶體的量產。
結合疊對改善與生產力提升。以較 NXE 高 40% 的成像對比度與 8nm 解析度，可用 1 次曝光描繪比 NXE 小 1.7 倍的圖案，電晶體密度達 2.9 倍。
以改良的 EUV 光源提高晶圓面的功率，能更快地曝光晶圓，生產力因此提升。減少量產中的製程複雜度，增加晶圓產量。
TWINSCAN EXE:5200B的特點與規格
艾司摩爾（ASML）・EUV 曝光機
第 2 款 High-NA EUV 曝光機。為 EXE:5000 的後繼機種，鎖定未滿 2nm 邏輯與先進記憶體的量產。
產品概要
主要規格
| 光源 | EUV（13.5nm・改良光源） |
|---|---|
| 投影光學系統 | NA 0.55（High-NA） |
| 解析度 | 8 nm（成像對比度較 NXE 提升 40%） |
規格依廠商公開資料整理，實際規格與選配請以廠商資料為準。
主要特點
第 2 款 High-NA EUV
成像對比度提升 40%
以改良光源提升生產力
主要用途
- 未滿 2nm 邏輯量產
- 先進記憶體
製造商與在台據點
在台據點
- 台灣總部（新竹）：2003 年成立
- 林口據點・新廠區（新北市林口區）：客戶支援與工廠；林口工一產業園區新廠是在台最大投資
- 台中・台南據點（台中・台南）：客戶支援據點，台南另設工廠