最後更新:2026年10月23日EUV 曝光機

TWINSCAN EXE:5000的特點與規格

艾司摩爾(ASML)・EUV 曝光機

首款 0.55 NA(High-NA)EUV 曝光機。解析度 8nm,以 1 次曝光描繪比 NXE 小 1.7 倍的圖案。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

TWINSCAN EXE:5000 是艾司摩爾首款 0.55 NA(High-NA)EUV 曝光機。為雙載台設備,是針對先進邏輯與記憶體生產提供 8nm 解析度之新世代的第一款機種。

以 8nm 解析度,可用 1 次曝光描繪比 TWINSCAN NXE 小 1.7 倍的圖案,電晶體密度因此達 2.9 倍。

由於能描繪更小的圖案,量產時可用 1 次圖案化取代多重圖案化,簡化製程、縮短製造週期時間,並增加晶圓產量。

主要規格

光源EUV(13.5nm)
投影光學系統NA 0.55(High-NA)
解析度8 nm

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

首款 High-NA(0.55 NA)EUV
解析度 8nm
比 NXE 小 1.7 倍的圖案・2.9 倍密度

主要用途

  • 先進邏輯・記憶體的微細圖案
  • 減少多重圖案化

製造商與在台據點

在台據點
  • 台灣總部(新竹):2003 年成立
  • 林口據點・新廠區(新北市林口區):客戶支援與工廠;林口工一產業園區新廠是在台最大投資
  • 台中・台南據點(台中・台南):客戶支援據點,台南另設工廠

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資料來源

  1. 艾司摩爾(ASML)官方產品頁面:ASML TWINSCAN EXE:5000