艾司摩爾（ASML）的 NA 0.33 EUV 曝光機。較前代 NXE:3400C 提升生產力 15～20%，用於 5nm・3nm 邏輯與先進 DRAM 量產。
目錄6 項
- 產品概要
- 主要規格
- 主要特點
- 常見問題
- 製造商與在台據點
- 資料來源
產品概要
TWINSCAN NXE:3600D 是艾司摩爾的 EUV（極紫外光）曝光機。使用由錫電漿產生、波長 13.5nm 的 EUV 光，以反射式投影光學系統將電路圖案轉印至晶圓。數值孔徑（NA）為 0.33，最大曝光區域為 26×33mm，處理 300mm 晶圓。
針對 5nm・3nm 邏輯節點與最先進 DRAM 節點的量產而設計，相較前代機種 NXE:3400C，生產力提升 15～20%。具備支援低 k1 應用的彈性光罩照明光學系統。
具備在設備內逐片量測與修正成像及疊對的功能，也支援量測與曝光並行的工作流程。EUV 曝光機由艾司摩爾獨家供應，是先進半導體量產不可或缺的設備。
主要規格
| 光源 | EUV 13.5 nm（錫電漿） |
|---|
| 數值孔徑（NA） | 0.33 |
|---|
| 最大曝光區域 | 26 × 33 mm |
|---|
| 適用晶圓尺寸 | 300 mm |
|---|
| 主要用途 | 5nm・3nm 邏輯、先進 DRAM 量產 |
|---|
規格依廠商公開資料整理，實際規格與選配請以廠商資料為準。
主要特點
EUV 13.5nm 光源（錫電漿）與反射式投影光學系統 TWINSCAN NXE:3600D的常見問題
NXE:3600D 是 High-NA EUV 嗎？
不是。NXE:3600D 的數值孔徑為 0.33，屬於所謂 Low-NA（標準 NA）的 EUV 曝光機。High-NA EUV 是 NA 0.55 的 EXE 系列。
製造商與在台據點
在台據點
- 台灣總部（新竹）：2003 年成立
- 林口據點・新廠區（新北市林口區）：客戶支援與工廠；林口工一產業園區新廠是在台最大投資
- 台中・台南據點（台中・台南）：客戶支援據點，台南另設工廠