EUV 曝光機是什麼

EUV 曝光機（Extreme Ultraviolet Lithography）是使用波長 13.5nm 的極紫外光，將超微細電路圖案轉印到晶圓上的曝光設備。在以 ArF 準分子雷射為光源的 DUV 曝光需要多重曝光的 7nm 以下節點，EUV 曝光可以單次曝光形成圖案，大幅減少製程步驟數。真空環境與反射式光學系統為必要條件，光源採用 LPP（雷射激發電漿）方式產生錫（Sn）電漿。艾司摩爾（ASML）以 NXE・TWINSCAN 系列獨占全球市場，每台超過 200億日圓，是極高價的設備。

重點整理

波長 13.5nm（DUV ArF 的 1/14），實現 7nm 以下節點的單次曝光
必須採用反射式光學系統（反射鏡）＋真空環境（鏡頭・空氣會吸收）
光源為以錫（Sn）電漿產生的 LPP（雷射激發電漿）方式
艾司摩爾以 NXE/TWINSCAN 系列獨占全球（每台超過 200億日圓）
High-NA EUV（NA=0.55）正推進對 2nm 以下節點的支援

常見問題

什麼是 EUV 曝光機？
EUV（Extreme Ultraviolet）曝光機是以波長 13.5nm 的極紫外光將超微細圖案轉印到晶圓上的半導體製造核心設備。它是 7nm 以下先進邏輯（台積電・三星・英特爾）不可或缺的設備，艾司摩爾是全球唯一能製造量產機台的廠商。
EUV 與 DUV 有什麼不同？
最大的差異在於光源波長。EUV 為 13.5nm（極紫外光），比 DUV ArF 的 193nm 短約 14 倍，可用單次曝光形成微細圖案。DUV 需要多次的多重曝光（多重圖案化），製程較複雜。EUV 能進一步微縮，但設備成本也大幅提高。
EUV 曝光機的主要廠商有哪些？
艾司摩爾是全球唯一的量產 EUV 設備廠商。其供應鏈由蔡司（ZEISS，德國）負責光學系統，Cymer（美國，艾司摩爾子公司）負責光源。在日本，Gigaphoton 在雷射光源零組件方面有部分參與。
為什麼 EUV 設備如此昂貴？
EUV 設備集結了錫電漿光源、反射式多層膜反射鏡（Mo/Si 交互堆疊）、真空腔體、高精度載台等世界最高水準的精密零組件。每台使用約 100,000 個零件，製造與調校需要高度技術與漫長時間，因此每台價格超過 200億日圓。

相關用語

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