Verdict結論
轉注成型與壓縮成型最大的差異在於「EMC的供給方式」。轉注成型將錠狀EMC熔融後，經由流道與澆口注入模具模穴，主要用於QFP、BGA、QFN等傳統封裝，但受澆口部位限制，難以薄型化至0.5mm以下。壓縮成型將粒狀或液態EMC直接填入模穴，再以上下模具加壓，因此沒有澆口痕跡，適用於FOWLP、FOPLP與薄型BGA。
主要差異
| 比較項目 | 轉注成型 | 壓縮成型 |
|---|---|---|
| 成型原理 | 將EMC錠熔融，經由流道與澆口注入模具模穴 | 將粒狀或液態EMC直接填入模穴，以上下模具加壓成型 |
| 材料形態 | 以錠狀固態EMC為主流 | 可對應粒狀、液態、薄膜狀EMC |
| 主要適用封裝 | 以QFP、BGA、QFN、導線架封裝等傳統產品為主 | FOWLP（扇出型晶圓級）、FOPLP（面板級）、薄型BGA |
| 薄型化對應 | 受澆口部位限制，難以薄型化（<0.5mm） | 直接加壓，無澆口痕跡，可對應更薄的封裝 |
| 大面積對應 | 受模具尺寸限制（基本上以個別封裝為對象） | 可一次封膠整片晶圓或整片面板 |
| EMC廢料 | 流道與料餅（cull）會產生EMC廢料 | 廢料少（容易控制填充量） |
| 產能 | 高（在量產線上為成熟技術） | 持續改善中，但大面積處理有時較耗時 |
| 設備成本 | 技術成熟，設備成本穩定 | 屬於新型設備，初期投資傾向較高 |
壓縮成型為何成為FOWLP/FOPLP的主角
在扇出型晶圓級封裝（FOWLP）中，會將晶片配置於整片晶圓上並以EMC一次封膠，再形成重布線層（RDL）。此製程需將整片晶圓（直徑300mm）或面板（600×600mm以上）一次封膠，轉注成型的澆口注入方式難以均勻填充。壓縮成型藉由均勻加壓實現大面積、薄型封膠，成為台積電InFO、Amkor的SWIFT、日月光（ASE）的FoCoS等先進封裝技術的基礎。
常見問題
半導體封膠（模封）使用什麼材料？
以EMC（環氧樹脂封裝材料：Epoxy Mold Compound）為主流。這是在環氧樹脂中調配填充材（二氧化矽）、硬化劑、阻燃劑等的熱固性材料。需要具備低線膨脹係數、低吸濕性、高絕緣性，對封裝的可靠度（耐熱衝擊、耐落摔）影響甚大。
轉注成型與壓縮成型哪一種是主流？
傳統產品（QFP、BGA、QFN等）至今仍以轉注成型為主流。另一方面，在扇出型（FOWLP/FOPLP）與薄型封裝方面，壓縮成型的採用正快速擴大。實務上依用途與封裝結構區分使用。
封膠設備的主要廠商有哪些？
TOWA與Apic Yamada是知名的封膠專業廠商。此外，BESI（BE Semiconductor Industries）與ASMPT也提供封膠設備。Nordson則在點膠與填充設備領域提供相關技術。