區域選擇性沉積（ASD，Area-Selective Deposition）是只在晶圓表面的目標材料上成膜、其他材料上不成膜的成膜技術。例如可以只在金屬導線上沉積絕緣膜或蓋層，而不沉積在周圍的絕緣膜上。它不是以曝光與蝕刻做出形狀，而是利用表面材料的差異自動決定膜的位置，因此也稱為由下而上（bottom-up）的加工。
選擇性成膜有幾種方法。第1種是利用原料只容易與特定材料表面反應的性質（固有選擇性）。第2種是在不想成膜處，先吸附排斥原料的分子（抑制劑），使用自組裝單分子層（SAM）或小分子抑制劑。第3種是把不想成膜處少量附著的膜，以重複成膜與蝕刻的方式去除，結合 ALD 與 ALE。
隨著微縮推進，曝光疊對偏差（overlay）與尺寸變異使圖形邊緣偏離目標位置的邊緣定位誤差（EPE）成為大問題。ASD 會自動對齊下層結構，因此在讓通孔準確對齊下層導線的完全自對準通孔等應用上，能擴大允許的偏差範圍。也可能減少曝光次數而降低成本，但選擇性能維持到多少 nm 的膜厚，以及缺陷是否夠少，是量產的課題。
