ALD 設備是什麼

ALD 設備（Atomic Layer Deposition：原子層沉積）是能以原子層為單位精密沉積薄膜的最先進薄膜沉積設備。透過交替通入前驅物氣體、利用自限性表面反應，每個循環約堆積 0.3～2Å（0.03～0.2nm）的膜，並以循環次數控制膜厚。最大特點是能均勻覆蓋深孔與 3D 結構內壁的成膜（共形沉積），應用於閘極絕緣層（High-k 介電質）、阻障金屬層、3D NAND 的阻擋層等，是 3nm 節點以下先進製程不可或缺的設備。

重點整理

以自限性反應每個循環約 0.3～2Å，並以循環次數控制膜厚
可在 3D 複雜結構上完全均勻成膜（共形性最高）
用於 High-k 介電質、阻障金屬層、3D NAND 的襯墊層與阻擋層
是 3nm 以下先進節點不可或缺的閘極形成技術
3D NAND、FinFET、GAA 電晶體帶動需求急速擴大

常見問題

什麼是 ALD 設備？
ALD（Atomic Layer Deposition：原子層沉積）設備是透過交替通入前驅物氣體的自限性反應，每次以 1 個原子層以下的厚度精密形成薄膜的薄膜沉積設備。每個循環約 0.3～2Å（0.03～0.2nm），並以循環次數控制膜厚。
ALD 與 CVD 有什麼不同？
CVD 是同時通入原料氣體、連續成膜；ALD 則是交替通入前驅物的自限性成膜。ALD 的膜厚均勻性與共形性（階梯覆蓋率）遠高於 CVD，最適合超薄膜與 3D 結構的成膜。
ALD 設備用於哪些半導體元件？
主要用於閘極絕緣層（High-k 介電質）、阻障金屬層、3D NAND 的阻擋層與襯墊層，以及 FinFET 和 GAA 電晶體的形成。在 3nm 以下的先進節點是不可或缺的技術。

相關用語

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