通孔（Via）是指在多層內連線中，為連接上下導線層而在層間介電層開設的孔，以及填入其中的導體。也稱為通孔洞（via hole）。一般將連接電晶體（源極・汲極・閘極）與最下層導線者稱為接觸窗（contact），連接導線層之間者稱為通孔，兩者分開稱呼。
先進邏輯晶片有超過10層的導線層，1顆晶片中形成數十億個通孔。銅導線採用雙鑲嵌（dual damascene）製程，在層間介電層以蝕刻形成通孔的孔與導線的溝槽（trench），濺鍍阻障金屬與銅晶種層後，以電鍍將銅同時填入孔與溝槽，再以CMP去除溢出的銅。在鋁導線時代，通孔是以鎢（W栓塞）填充。隨著微縮化，通孔直徑已縮小到數十nm以下，如何無孔洞（void）地填充高深寬比的孔，以及阻障金屬所占比例增加導致通孔電阻上升，都成為課題。
通孔的不良包括蝕刻未達底部的開孔不良、填充不良造成的孔洞、與上下導線的對位偏移，以及電遷移或應力遷移造成的斷線等。在量產中，以將大量通孔串聯而成、稱為通孔鏈（via chain）的測試圖案評估電阻與良率。此外，通孔一詞也用於封裝與載板，貫穿矽的TSV（Through-Silicon Via，矽穿孔）、貫穿封膠的TMV、貫穿玻璃基板的TGV等貫穿電極也是通孔的一種。