CPP（Contacted Poly Pitch，接觸多晶矽間距）是邏輯晶片中電晶體閘極排列的間距，也稱為閘極間距（gate pitch）。是閘極線寬加上與相鄰閘極之間的間隔（其間放置源極・汲極電極的部分）的長度。名稱中的「poly」源於過去閘極以多晶矽製作。金屬間距（metal pitch）則是導線層中金屬線排列的間距，最細層的間距特別稱為最小金屬間距（MMP）。
現在的製程節點名稱（5nm、3nm 等）並不代表實際尺寸。過去與閘極長度大致一致，但 FinFET 出現後已成為世代的稱呼。因此比較各公司技術時，以 CPP 與最小金屬間距作為代表實際微縮程度的指標。參考值是5nm 世代 CPP 約50nm，最小金屬間距略低於30nm。
邏輯電路面積大致與 CPP 和金屬間距的乘積成正比，因為標準元件（電路的基本元件）的寬度由幾條 CPP 決定，高度由幾條金屬間距（軌數）決定。不過，縮小 CPP 會使閘極間沒有放置電極的空間，縮小金屬間距會使導線電阻上升、曝光難度也增加。因此近年不只縮小尺寸，也重視以改良電晶體與導線結構來縮小元件的 DTCO（設計技術協同最佳化）。
