電晶體密度是表示晶片每1mm² 能放入多少電晶體的指標，一般以百萬個（Mega Transistor）為單位的 MTr/mm² 表示。在節點名稱已不代表實際尺寸的現在，它與 CPP、金屬間距並列，常用來比較製程的微縮程度與積體度。
問題在於，即使是同一製程，計算哪種電路會使數值差異很大。把電晶體塞得很滿的簡單電路，與導線複雜的電路，密度差了好幾倍。因此2017年 Intel 的 Mark Bohr 提出，把小型邏輯電路（NAND2）與大型電路（附掃描的正反器）的密度以6比4加權平均的計算方法，廣泛作為比較製程的參考。推估值方面，5nm 世代約為每1mm² 1億數千萬個。
不過，實際產品晶片的密度會比這個值低很多。因為晶片除了邏輯電路，還包含密度不同的 SRAM、類比電路與輸入輸出電路，也需要導線用的空隙。特別是 SRAM 在近年世代的微縮趨緩，密度不像邏輯電路那樣提高。比較發表的密度時，必須確認是哪種計算方法、是邏輯電路還是 SRAM。
