最後更新：2026年10月23日曝光・微影圖案化・光罩・光阻中國大陸：线宽线距（L/S）

線寬線距是什麼（L/S）

Line and Space

線寬線距（L/S）是相同寬度的線條與間隙以固定間隔重複排列的圖形，以「20/20nm」的方式表示。線條與間隙合起來的長度是節距（pitch），其一半是半節距（half pitch），是衡量微影解析能力的標準。後段製程也用來表示導線的精細程度，RDL 的標準是 2/2μm 以下。

目錄6 項

定義與原理

線寬線距（L/S）是相同寬度的線條（line）與間隙（space）以固定間隔重複排列的圖形。這是表示微影解析能力最基本的圖形，以「L/S＝20/20nm」的方式，用線寬與間隙寬度表示。1 條線加 1 個間隙的長度稱為節距，其一半稱為半節距。

線寬線距被用作比較曝光機與光阻能做出多細圖形的共同標準。以瑞利公式表示的解析度，一般指的就是這個半節距。此外，實際元件中也有許多相同線條規則排列的圖形，例如記憶體的導線與字元線，會以雙重圖案化（SADP）等手法，做出比 1 次曝光極限更細的線寬線距。

在後段製程與 IC 載板領域，也用線寬線距來表示導線的精細程度。例如，扇出型封裝的重布線層（RDL）標準為 2/2μm 以下，IC 載板為 10/10μm 左右，一般印刷電路板則為數十 μm。在小晶片（Chiplet）這類需要連接大量訊號的用途中，L/S 的微縮左右著性能。

節距與半節距有什麼不同？

節距是 1 條線加 1 個間隙的重複長度，半節距是其一半。在線寬與間隙寬度相同的線寬線距中，半節距等於線寬。曝光機的解析度一般以半節距表示。

封裝的 L/S 大約多少？

作為標準，一般印刷電路板為數十 μm，IC 載板為 10/10μm 左右，扇出型封裝的重布線層（RDL）為 2/2μm 以下，矽中介層則更細，為次微米級。晶片之間以越多導線連接，就越需要細的 L/S。