光罩製造設備是什麼
光罩製造設備（光罩／reticle 製造設備）是製造、檢測與修補半導體曝光製程所用光罩（reticle）的設備群。EUV、ArF 世代的微細圖形中，光罩上的缺陷會直接導致晶圓上的不良，因此光罩描繪、檢測、修補各步驟都要求極高精度。電子束描繪設備（EB 描繪設備）以奈米精度將圖形描繪至光罩基板（mask blank），光罩檢測設備則以光學或電子束偵測描繪後的圖形缺陷。光罩修補設備以原子等級去除或修補偵測到的缺陷，提高昂貴光罩的再利用率。隨著 EUV 曝光的普及，光罩精度要求進一步提高，設備的重要性日益增加。
主要細分類
- •光罩清洗・乾燥設備
- •光罩塗佈顯影設備
- •光罩蝕刻設備
- •光罩尺寸・平坦度量測設備
- •光罩修補設備
- •光罩倉儲（Reticle Stocker）
- •光罩寫入設備（電子束寫入）
重點整理
相關用語
比較文章
- EUV曝光機與DUV曝光機的差異兩者都是將電路圖形轉印到光阻上的曝光機，但光源波長與設備構成根本不同。EUV以13.5nm的極紫外光，可透過單次曝光實現微縮，但必須採用真空與反射式光學。DUV…
- High-NA EUV與傳統EUV的差異（NA=0.55 vs NA=0.33）EUV曝光機目前分為「傳統EUV（NA=0.33，ASML的NXE系列）」與「High-NA EUV（NA=0.55，ASML的EXE系列）」2個世代。High…
- ArF曝光與KrF曝光的差異（DUV曝光機比較）ArF與KrF都是以DUV（深紫外光）準分子雷射為光源的微影設備，但光源波長根本不同。ArF（氟化氬）為193nm，搭配浸潤式曝光（ArFi：以純水將NA延伸到…
- 單一圖案化與多重圖案化的差異曝光機的解析度有物理上的極限（繞射極限），為了實現以1次曝光無法直接形成的微細圖形而開發的就是多重圖案化技術。藉由SADP（自對準雙重圖案化）與SAQP（自對準…
- 奈米壓印與EUV的差異（次世代微影比較）奈米壓印微影（NIL）與EUV曝光同為實現半導體製造微縮的微影技術，但圖形轉印的原理根本不同。EUV是使用13.5nm光的最先進光學微影，實質上由艾司摩爾（AS…
- 正型光阻與負型光阻的差異（光阻比較）光阻是經曝光後溶解特性會改變的感光材料。正型光阻的曝光區會溶於顯影液（光罩透光部以外的區域留下成為圖形），負型光阻則是曝光區硬化留下、未曝光區溶解。解析度優異的…
前段製程設備的其他分類
清洗設備是在半導體製造製程中去除晶圓表面微粒（微粒子）、金屬雜質、有機物、原生氧化層等汙染物質，使用頻率最高的重要前段製程設備。
CMP 設備CMP（Chemical Mechanical Planarization：化學機械研磨）設備結合化學作用與機械研磨，將晶圓表面的凹凸平坦化至奈米等級，是前段製程的核心設備。
薄膜沉積設備薄膜沉積設備是在晶圓表面形成絕緣膜、導電膜、半導體膜等薄膜的前段製程重要設備，膜厚從數百奈米到原子等級。
蝕刻設備蝕刻設備是從晶圓上的薄膜去除不需要的部分、形成微細電路圖形的前段製程核心設備。
檢測設備檢測設備是偵測晶圓製程各步驟所產生的缺陷，以提升良率並確保品質的設備群。
離子佈植機離子佈植機是將雜質離子（硼、磷、砷等）以高能量打入矽等半導體基板，精密控制電晶體源極、汲極、井區的導電型與濃度的前段製程關鍵設備。
曝光機曝光機（微影設備）是利用光將光罩（reticle）上的電路圖形轉印至晶圓上光阻的設備群。
量測設備量測設備是精密測量晶圓製程中圖形尺寸、膜厚、疊對（位置偏移）等數值的設備群。
熱處理設備熱處理設備是將半導體晶圓加熱至高溫（約 200～1100°C），進行雜質活化、氧化膜形成、矽化物形成、退火（晶格缺陷修復）等熱反應的前段製程重要設備群。