Sym3 Z Magnum Etch 是應用材料的蝕刻系統，主要用途為形成 GAA（環繞式閘極）電晶體的源極／汲極用凹槽（cavity）。凹槽必須具備垂直側壁、均勻尺寸與矩形底部，些微偏差就會干擾磊晶成長並降低驅動電流，因此是 GAA 製造中最敏感的步驟之一。
結合在晶圓附近產生電漿的結構、第2代脈衝電壓技術（PVT2）與獨立的 RF 偏壓控制，精密控制離子能量。藉此獲得高垂直度、明確的底部形狀與 Si／SiGe 選擇比，將圖形間的深度變異壓到最低。
Sym3 Z 系列在晶圓代工、邏輯、記憶體的主要客戶中被廣泛用於凹槽蝕刻。Sym3 Z Magnum 的設計可延伸至需要更窄節距或更深凹槽的 GAA、CFET 與先進記憶體。