IGZOとは、インジウム（In）、ガリウム（Ga）、亜鉛（Zn）、酸素（O）からなる酸化物の半導体材料です。原子の並びが不規則なアモルファスの状態でも電子がよく動くことが特長で、2004年に東京工業大学（現・東京科学大学）の細野秀雄らが、アモルファスのIGZOで薄膜トランジスタ（TFT）を作れることを報告しました。ディスプレイの画素を動かすトランジスタとして実用化され、現在はメモリや論理回路への応用も研究されています。
アモルファスのIGZOの電子の移動度は10cm²/Vs程度と、液晶パネルで長く使われてきたアモルファスシリコンの10倍以上あります。低い温度でスパッタリングによって大きなガラスの基板に均一に作れるため、大型のパネルに向いています。もう1つの大きな特長は、オフにしたときに流れるリーク電流が極めて小さいことで、画面を書き換えない間はトランジスタを止めておけるため、ディスプレイの消費電力を下げられます。
このリーク電流の小ささは、メモリにとっても魅力です。DRAMはキャパシタから電荷が漏れるため定期的にリフレッシュが必要ですが、IGZOのトランジスタを使えば電荷を長く保て、リフレッシュの回数を大きく減らせる可能性があります。低い温度で作れるため、配線の層の中に重ねて作ることもでき、3D DRAMやモノリシック3D集積の材料として、メモリメーカーや研究機関が開発を進めています。
