PVD 設備是什麼

PVD 設備（Physical Vapor Deposition：物理氣相沉積）是在真空中將靶材蒸發或濺鍍，使其沉積在晶圓表面的薄膜沉積設備。濺鍍 PVD 廣泛用於金屬導線（AlCu、W 等）、阻障金屬層（TiN、TaN 等）與電極材料的形成。與 CVD 相比可低溫成膜且附著力強，擅長形成高純度金屬薄膜。在硬碟與太陽能電池等半導體以外的領域也有應用。

重點整理

以濺鍍、蒸鍍將靶材薄膜化
最適合 Al、Cu、W、TiN、TaN 等金屬與阻障金屬層的成膜
可在比 CVD 更低的溫度成膜，也適用怕熱的基板材料
膜純度高，但階梯覆蓋率（覆蓋性）有限
是導線、電極、阻障層形成必備的成膜技術

常見問題

什麼是 PVD 設備？
PVD（Physical Vapor Deposition：物理氣相沉積）設備是以濺鍍、蒸鍍等物理方法將靶材以薄膜形式沉積在晶圓表面的薄膜沉積設備。廣泛用於 Al、Cu、W、TiN、TaN 等金屬與阻障金屬層的成膜。
PVD 與 CVD 有什麼不同？
PVD 以物理方法（濺鍍、蒸鍍）成膜，金屬膜純度高且可低溫處理，但在深溝槽與孔洞內部的均勻成膜（共形性）不如 CVD。CVD 利用化學反應，即使是複雜的 3D 形狀也能均勻成膜。
PVD 設備的主要廠商有哪些？
應用材料（Applied Materials，Endura 系列）擁有壓倒性的市占率。在日本，愛發科（ULVAC）在濺鍍設備市場具有存在感。針對阻障金屬層與晶種層，i-PVD（離子化 PVD）與 HiPIMS 等高性能設備已被主要晶圓廠採用。

相關用語

PVD（物理氣相沉積）是什麼→濺鍍是什麼→懸突（Overhang）是什麼→剝離製程（Lift-off）是什麼→CVD 設備（化學氣相沉積設備）是什麼→ALD（原子層沉積）是什麼→ALD 設備（原子層沉積設備）是什麼→磊晶是什麼→薄膜沉積是什麼→化學氣相沉積（CVD）是什麼→PECVD（電漿輔助化學氣相沉積）是什麼→LPCVD（低壓化學氣相沉積）是什麼→MOCVD（有機金屬化學氣相沉積）是什麼→階梯覆蓋率（Step Coverage）是什麼→TEOS（四乙氧基矽烷）是什麼→旋塗玻璃（SOG）是什麼→磁控濺鍍（Magnetron Sputtering）是什麼→

比較文章

延伸閱讀

薄膜沉積設備的其他分類

ALD 設備

ALD 設備（Atomic Layer Deposition：原子層沉積）是能以原子層為單位精密沉積薄膜的最先進薄膜沉積設備。

CVD 設備

CVD 設備（Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積）是利用原料氣體的化學反應，在晶圓表面形成高品質薄膜的薄膜沉積設備。

電鍍設備（電解銅電鍍）

電鍍設備（電解銅電鍍／ECD）是在電鍍液中通電，使銅析出於通孔與溝槽內部以形成導線的設備。

磊晶成長設備

磊晶成長設備（Epitaxy）是在單晶矽基板上成長具有相同晶體方向的薄單晶層（磊晶層）的特殊薄膜沉積設備。

LPCVD（低壓 CVD）

LPCVD 設備（減壓 CVD）是在數十～數百 Pa 的減壓環境下，以熱分解反應沉積薄膜的化學氣相沉積設備。

MBE 設備（分子束磊晶）

MBE 設備（分子束磊晶）是在超高真空中加熱蒸發原料元素，使其以分子束形式到達基板，以 1 個原子層為單位進行晶體成長的薄膜沉積設備。

MOCVD 設備

MOCVD 設備（有機金屬化學氣相沉積）是將三甲基鎵等有機金屬原料與氨等氫化物送至加熱的基板上，以熱分解反應磊晶成長化合物半導體晶體膜的設備。

PECVD（電漿 CVD）

PECVD 設備（電漿 CVD）是以電漿分解原料氣體，讓僅靠熱無法進行的成膜反應在低溫下進行的化學氣相沉積設備。

濺鍍設備

濺鍍設備是在真空中使氬離子撞擊靶材，讓被撞出的原子沉積在晶圓表面的 PVD 設備。

真空蒸鍍設備

真空蒸鍍設備是在高真空中加熱蒸發材料，使蒸氣在基板上凝結成膜的 PVD 設備。

PVD 設備的主要機型（20）

PVD 設備的主要廠商

所屬主題

半導體企業一覽
設備・材料・晶圓代工・IC 設計・封測企業的據點與主力產品
→