MCZ法（Magnetic field applied Czochralski method：磁場柴氏長晶法）是在培育矽單晶的柴氏長晶法（CZ法）中，一邊從外部對坩堝內的矽熔湯施加強磁場、一邊提拉晶體的方法。約於1980年在日本開發，目前廣泛用於大直徑矽單晶的製造。
在CZ法中，於石英坩堝內熔化的矽熔湯，會因加熱造成的溫度差而產生劇烈對流。這種對流會使從坩堝溶出的氧被晶體吸收，同時造成熔湯溫度波動，使晶體中的氧與摻雜物濃度出現條紋狀的不均勻（生長條紋）。由於熔融的矽可以導電，施加磁場後，橫越磁場運動的熔湯會受到阻礙其運動的力，對流因而受到抑制。結果是能減少晶體吸收的氧量，或將其精確控制在目標濃度，生長條紋也會減少。
以MCZ法製作、氧濃度低且均勻的晶體，被用於各種用途。在影像感測器中，氧造成的缺陷會成為暗電流與白點的原因，因此需要低氧晶圓。在IGBT等功率半導體中，氧也可能改變電氣特性，過去一直使用幾乎不含氧的FZ法晶體，但目前正逐漸改用直徑更大、價格更低的MCZ法晶體。在熔湯量大的300mm晶圓用晶體中，對流會變強，因此MCZ法已成為穩定品質不可或缺的技術。施加磁場的方式，有沿水平方向施加的方式，以及組合上下方向相反磁場的尖端磁場（cusp）方式等。