漩渦缺陷（Swirl Defect）是將矽單晶切片所得的晶圓進行選擇性蝕刻時，以漩渦狀（swirl）或條紋狀圖樣呈現的微小晶體缺陷分布。1960～70年代，在以無差排方式成長的FZ（浮區）法矽晶體中被發現，後來在CZ法晶體中也觀察到。由於缺陷沿著晶體成長時的成長起伏排列，因此形成漩渦狀圖樣。
漩渦缺陷的本質，是晶體冷卻過程中過剩的點缺陷（原子脫離後的空位，或多餘的間隙矽原子）聚集而成的微小缺陷。由間隙矽聚集形成之差排環的較大缺陷稱為A缺陷，更小的聚集體則稱為B缺陷。之後Voronkov的理論闡明，哪一種點缺陷殘留較多，取決於晶體拉晶速度V與固液界面附近溫度梯度G之比（V/G）。V/G大時空位較多，會形成COP等空位型缺陷；V/G小時則形成間隙型缺陷。
漩渦缺陷會造成其上所製作元件的接面漏電與氧化層不良，因此已透過改善晶體製造條件而降低。現今包含漩渦缺陷在內的這類晶體成長時缺陷，統稱為Grown-in缺陷，對策包括精密控制拉晶速度與溫度梯度以製作幾乎無缺陷的晶體，或以退火、磊晶層消除表面缺陷。