耐久度（寫入耐受度）是表示非揮發性記憶體的記憶胞在滿足性能規定的情況下，最多能重複重寫（寫入與抹除）幾次的指標。NAND 快閃記憶體以「P/E 循環」（Program/Erase）次數表示，超過此次數後，可能無法正確寫入資料，或可保存資料的期間變短。
NAND 快閃記憶體之所以劣化，是因為每次寫入或抹除時，電子都會在高電場下穿過薄的絕緣膜（穿隧氧化層），其中一部分被膜內捕捉，使缺陷逐漸增加。缺陷增加後，記憶胞的臨界電壓容易偏移，讀取錯誤隨之增加。每個記憶胞記錄的位元數越多，可容許的偏移就越小，一般標準為 SLC 數萬～10 萬次、MLC 數千～1 萬次、TLC 數千次、QLC 千次上下。
對新型非揮發性記憶體而言，耐久度是一大賣點。FeRAM 與 MRAM 中有可承受 10 的 10 次方次以上重寫的產品，在需要頻繁重寫資料的用途中取代快閃記憶體。ReRAM 與 PCM 則介於兩者之間。耐久度與資料保存（保存期間）是互相取捨的關係，重寫次數越多的記憶胞保存期間越短，因此兩者會一起評估。
