快閃記憶體（Flash Memory）是一種即使關閉電源資料也不會消失的非揮發性記憶體，因可用電氣方式一次（flash）抹除而得名。它將電荷儲存在浮動閘極或電荷捕捉層中來記憶資料，是 SSD、智慧型手機、USB 隨身碟、SD 卡等各種儲存裝置的核心。
快閃記憶體大致分為 NAND 型與 NOR 型。NAND 型將單元串聯連接，適合高密度、大容量化，用於 SSD 與手機儲存。NOR 型的隨機存取與高速讀取表現優異，用於存放程式碼（就地執行，XIP）。兩者依用途區分使用。
寫入與抹除是以高電壓產生穿隧電流來注入或移出電荷，因此速度比 DRAM 慢，且抹寫次數有上限（耐久度）。藉由每1單元儲存多個位元的多階化（MLC/TLC/QLC），以及將單元垂直堆疊的 3D NAND，持續推進大容量化與低成本化。
快閃記憶體的主要廠商為三星（Samsung）、鎧俠（Kioxia）、SK 海力士（SK hynix）、美光（Micron）。可搭配 NAND快閃記憶體、nor-flash、3d-nand、multi-level-cell、電荷捕捉快閃記憶體（CTF） 各條目一起閱讀，以理解非揮發性記憶體的全貌與技術演進。