FeRAM（Ferroelectric Random Access Memory：鐵電記憶體，亦稱 FRAM）是以鐵電材料自發極化的方向（正／負）來儲存資料的非揮發性記憶體。施加電場會使極化反轉，移除電場後狀態仍會保持，因此即使切斷電源，資料也不會消失。其架構類似 DRAM 的1電晶體1電容（1T1C）結構，但以鐵電電容取代一般介電質電容。
FeRAM 的優勢在於低功耗、高速寫入，以及極高的耐寫次數（10的12次方～15次方次）。不需要快閃記憶體那樣的高電壓電荷幫浦與漫長的寫入時間，適合需要頻繁覆寫的日誌記錄、量測、IC 卡、智慧電表等用途。其抗輻射能力也相對較強，在工業、車用、醫療領域累積了穩健的實績。
傳統 FeRAM 以 PZT（鋯鈦酸鉛）或 SBT 作為鐵電材料，但這些材料與 CMOS 微縮製程的整合性及微縮能力都有極限。近年來發現了氧化鉿（HfO₂）系鐵電材料，因其與既有高介電常數（High-k）閘極材料的相容性高，以鐵電場效電晶體（FeFET）形式應用於微縮・高密度新世代非揮發性記憶體的研究日益活躍。
FeRAM 與 ReRAM・MRAM・PCM 並列為新世代非揮發性記憶體之一，在比起容量更重視可靠度、低功耗與耐寫次數的用途中確立了穩固地位。隨著 HfO₂ 鐵電材料的出現，其作為嵌入式記憶體與新世代邏輯融合元件的潛力正重新受到評估。