多階儲存單元（MLC：Multi-Level Cell）是在1個記憶單元中儲存2位元以上資訊的方式。相對於每1單元1位元的 SLC（Single-Level Cell），藉由增加每1單元的儲存位元數，例如2位元的 MLC、3位元的 TLC（Triple-Level Cell）、4位元的 QLC（Quad-Level Cell），可在相同面積下實現更大容量、更低成本的記憶體。主要用於 NAND 快閃記憶體。
其原理是把儲存於單元中的電荷量（臨界電壓）分成多個階層，並分辨讀出這些階層來表示多個位元。1位元為2階、2位元為4階、3位元為8階，位元數越多，每1階的電壓裕度就越窄。
多階化在降低每位元成本的同時，由於臨界電壓分布彼此接近，會伴隨讀寫速度下降、可抹寫次數（耐久度）減少、錯誤率上升等取捨。為了彌補這些問題，強大的 ECC（錯誤更正）、讀取重試（read retry）以及更先進的寫入演算法都不可或缺。
結合 3D NAND 的多層化與多階化，推動了 SSD 的大容量化與低價化。可搭配 NAND快閃記憶體、3d-nand、charge-trap-flash、NOR 型快閃記憶體 各條目一起閱讀，以理解快閃記憶體的大容量化技術。三星（Samsung）、鎧俠（Kioxia）、美光（Micron）等在量產上居於領先。