NSG（Non-doped Silicate Glass，無摻雜矽玻璃）是不添加硼（B）、磷（P）等雜質，以 CVD 法沉積的氧化矽（SiO₂）膜，也稱為 USG（Undoped Silicate Glass）。這個名稱用來與摻磷的 PSG、摻硼與磷的 BPSG 區別，也與以熱氧化形成的 SiO₂ 膜區分使用。
沉積方式包括使用 TEOS（四乙氧基矽烷）與臭氧的常壓・次常壓 CVD（O₃-TEOS）、以 TEOS 或 SiH₄ 為原料的電漿 CVD（PE-TEOS 等），以及擅長填充高低差的高密度電漿 CVD（HDP-CVD）等。這些方法都能在 400℃ 左右以下的較低溫度沉積，因此特點是在形成電晶體與金屬連線後的製程中也能使用。
主要用途包括：絕緣導線之間、以及元件與導線之間的層間介電層（ILD・PMD），STI（淺溝槽隔離）的溝槽填充，蝕刻用硬遮罩，以及防止摻雜膜中雜質向外擴散的覆蓋層（cap）或襯層（liner）等。由於不含雜質，膜質穩定；雖然無法像 BPSG 那樣以回流（reflow）平坦化，但可透過 CMP 平坦化後使用。
以 CVD 沉積的 NSG 密度低於熱氧化膜，在稀氫氟酸（DHF）或緩衝氫氟酸（BHF）中的蝕刻速率較大。因此有時會在沉積後進行熱處理（緻密化，densify）使膜變得緻密，在估算濕式製程的膜損量時也要考慮這項差異。
在現場，回蝕（etch back）、CMP、濕式蝕刻後殘留的 NSG 膜厚稱為「NSG 殘膜」並加以管理。殘膜過厚會導致接觸窗開孔不良或高低差，過薄則會造成底層露出或絕緣不良，因此以光學干涉式膜厚計或橢圓偏光儀量測，並搭配蝕刻或 CMP 的終點偵測，控制在目標厚度內。