濕式清洗設備是什麼

濕式清洗（Wet Cleaning）是使用藥液與超純水去除晶圓表面污染物的濕式製程。依目的使用多種藥液，例如以氨水過氧化氫（SC-1）去除有機物與微粒、以鹽酸過氧化氫（SC-2）去除金屬、以氫氟酸（HF）去除原生氧化層等。這是半導體清洗最基本且最通用的方法，適用於前段製程中所有微影步驟之間的製程。

重點整理

依目的分別使用 SC-1・SC-2・HF 等藥液

選擇性去除有機物・金屬・原生氧化層

適用於前段製程中所有微影步驟之間的製程

半導體清洗最基本且最通用的方法

需要精密管理藥液濃度・溫度・處理時間

批次式清洗設備（Batch Cleaning）是同時處理多片晶圓的清洗系統。

乾式清洗（Dry Cleaning）是使用電漿或氣體去除晶圓表面污染的乾式製程。

光阻剝除設備（濕式）是在曝光、蝕刻、離子佈植完成後，以藥液溶解去除已不需要的光阻的設備。

單晶圓清洗設備（Single Wafer Cleaning）是將晶圓 1 片 1 片個別處理的精密清洗系統。

晶圓乾燥設備是從清洗後的晶圓表面去除液體的設備。

晶圓刷洗機是以 PVA 刷或高壓噴流物理性地擦洗晶圓表面，剝除附著微粒的清洗設備。