SC1清洗是以氨水（NH₄OH）・過氧化氫水（H₂O₂）・純水的混合液清洗晶圓，是半導體代表性的濕式清洗，主要目的是去除微粒（particle）與有機物。SC1是指1960年代美國RCA公司的W. Kern等人開發的RCA清洗的第1液（Standard Clean 1），依藥液成分也稱為APM（Ammonia-hydrogen Peroxide Mixture）清洗。
傳統的標準條件為NH₄OH：H₂O₂：H₂O＝1：1：5的比例，液溫約70～80℃。過氧化氫氧化矽表面形成薄氧化膜，同時氨會微量溶解該氧化膜，這些反應同時進行，使表面被極薄地蝕除（lift-off），附著的微粒因而浮起去除。在鹼性溶液中，晶圓表面與微粒都會帶負電（界達電位，zeta potential），因此剝離的微粒不易再附著，這也是SC1擅長去除微粒的原因。
另一方面，在鹼性溶液中，鐵・鋁・鋅等金屬容易附著於表面，也會微量蝕刻矽而使表面粗糙。因此在SC1之後會搭配去除金屬的SC2清洗或稀氫氟酸（DHF）清洗。近年為減少表面蝕除量與藥液用量，稀釋至1：1：50～100左右的稀釋SC1成為主流，並以兆音波（megasonic）或二流體噴灑施加物理力，補強微粒去除能力。清洗可在批次式的濕式清洗槽中進行，也可在單晶圓式清洗設備中進行。