最後更新:2026年10月8日清洗晶圓清洗中國大陸:槽式清洗机

濕式清洗槽(Wet Bench)是什麼

Wet Bench

濕式清洗槽(wet bench)是將藥液槽與純水沖洗槽排成一列,把25~50片晶圓一起依序浸泡進行清洗・蝕刻的批次式清洗設備。由SPM・SC1・DHF・SC2等槽、快速排放沖洗與IPA乾燥組成。每1片成本低,即使在以單晶圓式為主流的先進產品中,也用於熱磷酸蝕刻等長時間處理。

目錄5 項
  1. 定義與原理
  2. 常見問題
  3. 相關企業
  4. 相關用語
  5. 比較文章

定義與原理

濕式清洗槽(wet bench)是將多個裝滿藥液或純水的槽(bath)橫向排成一列,把晶圓一起依序浸泡進行清洗・蝕刻的設備。是批次式清洗設備的代表,也稱為濕式工作站(wet station)。可將25片或50片晶圓作為1批(lot)一次處理,因此產能高是其特點。

典型的配置是SPM(硫酸與過氧化氫混合液)、SC1、稀氫氟酸(DHF)、SC2等藥液槽,與沖掉藥液的純水沖洗槽交替排列,最後是乾燥區。晶圓由傳送機械手臂從一槽送到下一槽,各浸泡規定的時間。在沖洗槽中,以一次排光純水再換水的快速排放沖洗(QDR),或讓純水從槽底溢流的溢流沖洗,沖掉藥液。乾燥則使用以IPA(異丙醇)蒸氣進行的馬蘭哥尼(Marangoni)乾燥,或旋轉晶圓的旋轉乾燥。過去是連同晶舟盒(cassette)一起浸泡,但為減少藥液帶入,目前以直接夾持晶圓搬送的無晶舟盒方式為主流。

濕式清洗槽產能高且藥液可重複使用,每1片成本低;但在槽中剝落的污染物會轉移到其他晶圓的交叉污染,以及晶圓面內・批內的變異是其課題。在微縮持續推進的先進產品中,已逐漸改用每次1片噴灑藥液的單晶圓式清洗設備,但在熱磷酸蝕刻氮化膜、光阻去除、晶圓進料清洗等處理時間長的步驟中,濕式清洗槽至今仍被廣泛使用。主要廠商有SCREEN Semiconductor Solutions與東京威力科創(TEL)等。

濕式清洗槽(Wet Bench)的常見問題

濕式清洗槽和單晶圓式清洗設備有什麼不同?
濕式清洗槽是將25~50片晶圓一起浸入藥液槽的批次式,特點是產能高、每1片成本低。單晶圓式則是每次1片、一邊旋轉一邊噴灑藥液的方式,沒有交叉污染且面內均勻性佳,因此用於先進產品的多數清洗步驟。
什麼是快速排放沖洗(QDR)?
這是將浸泡晶圓的沖洗槽純水從槽底一口氣排出,再立即注滿新純水,反覆進行此動作,在短時間內沖掉表面殘留藥液的方法。藥液的置換比持續流放純水的溢流沖洗更快,廣泛用於濕式清洗槽。

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