BPSG（Borophosphosilicate Glass，硼磷矽玻璃）是在氧化矽（SiO₂）中各加入數%硼（B）與磷（P）的玻璃膜。只加入磷的則稱為PSG（Phosphosilicate Glass，磷矽玻璃）。與未摻雜的氧化膜（NSG）相比，在較低溫度下就會軟化，加熱後能流動使表面段差變得平緩，這是其最大特徵。
BPSG一直用於電晶體形成後、製作第一層金屬導線前的層間介電層（PMD：Pre-Metal Dielectric）。以常壓・次常壓CVD，在TEOS與臭氧中加入硼源（TEB）與磷源（TEPO）等成膜，再於800～900℃左右熱處理使其流動（回流，reflow）。純氧化膜即使超過1000℃也無法充分流動，但加入硼可降低流動溫度。PSG與BPSG中的磷，也具有捕捉會使電晶體特性偏移的鈉等可動離子（吸雜，gettering）的作用。
濃度一般是硼與磷各數wt%左右，過高時膜中會析出結晶形成缺陷，或吸濕導致膜質變化。1990年代以後，隨著CMP能將表面平坦化，回流平坦化的角色變小，但BPSG憑藉其填洞能力與吸雜效果，至今仍作為PMD用於部分製程。高溫回流會使淺接面的雜質擴散開來，因此在先進產品中，會設法與可低溫成膜的薄膜搭配使用。