光阻剝除（resist strip）是在蝕刻或離子佈植中作為遮罩使用完畢後，從晶圓表面去除光阻的步驟。製作1顆晶片時，曝光與蝕刻要重複數十次，光阻剝除也每次都要進行，是次數最多的步驟之一。光阻若殘留，會成為下一道製程汙染或缺陷的原因，因此要求在不損傷下層膜的情況下完全去除。
方法大致有2種。一種是以氧電漿像燃燒一樣分解並去除光阻的乾式方法，稱為灰化（ashing）。另一種是以硫酸與過氧化氫的混合液（SPM）或有機剝除液溶解光阻的濕式方法。多數製程會先以灰化去除大部分，再以濕式清洗處理殘渣與汙染。
特別困難的是作為高劑量離子佈植遮罩的光阻。受離子撞擊的光阻表面會碳化成堅硬的外殼（crust），一般條件下不易去除。若急速加熱，外殼內側產生的氣體會使外殼破裂（popping），散出微粒。另外，下層膜若是 Low-k 膜或金屬閘極等不耐氧電漿或藥液的材料，會使用氫系電漿或降低溫度，選擇不損傷下層膜的條件。
