TEOS（Tetraethyl Orthosilicate：四乙氧基矽烷、Si(OC₂H₅)₄）是以 CVD 形成二氧化矽膜（SiO₂）時廣泛使用的液態原料（前驅物）。由於在常溫下為液體，需氣化後供應，再以熱或電漿使其分解・反應，在晶圓上沉積氧化膜。相較於使用矽烷（SiH₄）的氧化膜，其階梯覆蓋率（conformality）更佳、膜質也較好，因此大量用於層間介電層與 STI 填充。
使用 TEOS 的氧化膜沉積有多種方式。PE-TEOS（電漿 CVD）能在低溫下以高產出量形成層間介電層（ILD）；以 SACVD（次常壓 CVD）結合臭氧的 O₃-TEOS，則以優異的階梯覆蓋率填充狹窄間隙。以 LPCVD 形成的高溫 TEOS 氧化膜均勻性優異，用於閘極周邊與間隙壁（spacer）形成。
TEOS 系氧化膜廣泛用於隔絕導線之間的層間膜、元件隔離的 STI（淺溝槽隔離）填充、側壁間隙壁、保護膜等，是半導體製造各個步驟中最基本的絕緣膜形成手段之一。膜中殘留的水分與碳以及應力的控制，都會影響元件可靠度。
TEOS 等高純度前驅物由東曹（Tosoh）、液化空氣（Air Liquide）、默克（Merck，Versum）、Entegris 等電子材料廠商供應。在先進製程中，材料已朝低介電常數（Low-k）膜與流動式 CVD（Flowable CVD）多樣化，但 TEOS 氧化膜無論成熟或先進節點，都仍是被廣泛持續使用的基礎材料。