特殊氣體（Specialty Gas）是半導體製造製程中所使用、高純度且具特定組成之各種氣體的總稱。用於CVD薄膜沉積（矽烷、TiCl₄、WF₆）、ALD（TMA、TDMAT）、蝕刻（CF₄、SF₆、Cl₂、HBr）、摻雜（AsH₃、PH₃、BF₃）、曝光（ArF雷射用ArF混合氣體）、清洗（HF、NH₃）等多種步驟。純度要求以6N（99.9999%）以上為標準，每1座晶圓廠管理的氣體多達數百種。
以下整理半導體製程使用的主要特殊氣體分類與用途。（1）薄膜沉積氣體：SiH₄（矽烷，CVD-Si）、Si₂H₆（乙矽烷）、TiCl₄（TiN-ALD）、WF₆（W-CVD）、TMA（Al₂O₃-ALD）、TDMAT（TiN-ALD）。（2）蝕刻氣體：CF₄、CHF₃、C₄F₆（氧化層蝕刻）、HBr、Cl₂（Si、Poly-Si蝕刻）、SF₆（Si等向性蝕刻）、BCl₃（Al蝕刻）。（3）摻雜氣體：AsH₃、PH₃（n型）、BF₃（p型）。（4）載氣・吹淨氣體：N₂、Ar、He、H₂。
特殊氣體的安全管理是半導體晶圓廠營運的最優先事項之一。AsH₃（砷化氫）、PH₃（磷化氫）、SiH₄（自燃性）、HF、WF₆具有高毒性、可燃性與腐蝕性，專用氣瓶櫃（GasBox）、氣體洩漏偵測系統、緊急關斷閥、洗滌塔（有害氣體排氣處理設備）都是必備的基礎設施。在日本，須依據《高壓氣體保安法》與《勞動安全衛生法》進行嚴格管理。
地緣政治與出口管制風險正衝擊特殊氣體市場。氪（Kr）與氖（Ne）原本以烏克蘭為全球最大的精製據點，2022年俄烏衝突導致供應鏈混亂，Kr、Ne價格暴漲超過10倍。在美中摩擦下，從中國採購氟系氣體（NF₃、SF₆、F₂）與高純度氮氣的風險也浮上檯面，日本、韓國、歐洲正推動氣體在地化生產並增加庫存。Air Products、Linde、Air Liquide、昭和電工為主要的全球供應商。
含氟溫室氣體（PFC：PerfluoroCarbon）的排放管制是業界課題。CF₄、SF₆、NF₃的全球暖化潛勢（GWP）可達CO₂的數千～2萬倍，因此在《京都議定書》與《巴黎協定》下負有減量義務。各晶圓廠正推動PFC的使用端處理（燃燒式、電漿式洗滌塔）並轉向替代氣體（低GWP產品）。NF₃（遠端電漿清潔用）的在地化生產與回收系統也在研究中。