LPCVD（低壓化學氣相沉積）是在約10～100Pa 的減壓環境下引發化學反應，於晶圓表面沉積高品質薄膜的 CVD 技術。與常壓 CVD（Atmospheric CVD）相比，氣體擴散性大幅提高，因此即使每1批次將50～150片晶圓縱向堆疊一次處理，晶圓之間與晶圓面內都能達到均勻的膜厚，這是其最大特點。
減壓使氣體分子的平均自由徑變長，即使在複雜立體形狀的溝槽或通孔內部，也能確保高階梯覆蓋率（step coverage）。一般製程溫度為600～900℃，相對較高，但也因此膜的緻密度、純度與機械強度較高，最適合需要長期可靠度的絕緣膜與硬遮罩用途。
主要沉積材料包括多晶矽（閘極電極、電阻）、矽氮化膜（SiN，蝕刻停止層、間隔層）、矽氧化膜（SiO₂，場氧化膜）、矽化鎢（WSi₂，降低接觸電阻）等。這些材料廣泛用於邏輯、記憶體與功率半導體的製造。
設備形式以立式爐（vertical furnace）為主流，主要供應商有東京威力科創（TEL）、ASM International、國際電氣（Kokusai Electric）等。由於能兼顧批次處理的低成本與高膜質，不僅先進邏輯，在重視成本的成熟節點中也持續被廣泛使用。
另一方面，由於是高溫製程，難以用於已形成鋁導線的後段步驟，這類用途改用 PECVD（電漿輔助 CVD）。即使元件持續微縮，LPCVD 在多晶矽閘極與氮化膜間隔層的形成上仍扮演重要角色。