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ASML／EUV露光装置

TWINSCAN EXE:5200B

2 機種目の High-NA EUV 露光装置。EXE:5000 の後継で、2nm 未満のロジックと先端メモリの量産を狙う。

TWINSCAN EXE:5200Bとは

TWINSCAN EXE:5200B は、ASML の 2 機種目の 0.55 NA（High-NA）EUV 露光装置で、EXE:5000 の後継機です。2nm 未満のロジックノードと先端メモリの量産を支えるように設計されています。

重ね合わせの改善と生産性の向上を組み合わせています。NXE に比べて 40% 高いイメージングコントラストと 8nm の解像度で、NXE より 1.7 倍小さいパターンを 1 回の露光で描け、トランジスタ密度は 2.9 倍になります。

改良した EUV 光源でウェーハ面のパワーを高め、ウェーハをより速く露光できるようになり、生産性が向上しました。量産での工程の複雑さを減らし、ウェーハの生産量を増やします。

主な特長

  • •High-NA EUV の 2 機種目
  • •イメージングコントラスト 40% 向上
  • •改良光源で生産性向上

主な仕様

光源EUV（13.5nm・改良光源）
投影光学系NA 0.55（High-NA）
解像度8 nm（NXE 比イメージングコントラスト 40% 向上）

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目ASMLTWINSCAN NXE:3600DASMLTWINSCAN EXE:5000ASMLTWINSCAN EXE:5200BASMLTWINSCAN NXE:3800EASMLTWINSCAN NXE:3400C
光源EUV 13.5 nm（スズプラズマ）EUV（13.5nm）EUV（13.5nm・改良光源）EUV（13.5nm）EUV（13.5nm）
投影光学系—NA 0.55（High-NA）NA 0.55（High-NA）NA 0.33—
主要用途5nm・3nm ロジック、先端 DRAM の量産——2nm ロジック・先端 DRAM の量産—
解像度—8 nm8 nm（NXE 比イメージングコントラスト 40% 向上）——
1機種だけが掲載している項目（5件）
開口数（NA）0.33————
最大露光フィールド26 × 33 mm————
対応ウェハ径300 mm————
スループット————毎時 170 枚以上（300mm）
対象ノード————7nm・5nm

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •2nm 未満のロジック量産
  • •先端メモリ

掲載カテゴリ

TWINSCAN EXE:5200Bは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

EUV露光装置

EUV露光装置（Extreme Ultraviolet Lithography）は、波長13.5nmの極端紫外線を使用してウェハ上に超微細回路パターンを転写する露光装置です。

メーカー 2 社

メーカー

ASML

EUV露光装置の唯一のグローバルサプライヤー。極紫外光リソグラフィ技術でムーアの法則を延命させ、5nm以下の先端プロセスに不可欠。

ASML の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

EUV露光装置のほかの製品

TWINSCAN NXE:3600D（ASML）TWINSCAN EXE:5000（ASML）TWINSCAN NXE:3800E（ASML）TWINSCAN NXE:3400C（ASML）

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関連用語

High-NA EUVとは→EUV（極紫外線）とは→EUV露光とは→
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-07
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