硬遮罩（Hard Mask）是半導體製造中取代光阻、或作為光阻圖案下層使用的無機或有機系薄膜遮罩材料。由於光阻的抗蝕刻能力相對較弱，在需要深蝕刻或高選擇比的製程中，會先將光阻圖案轉移到耐久性更高的硬遮罩材料，再進行蝕刻。
主要的硬遮罩材料有：①氧化矽（SiO2）、②氮化矽（Si3N4）、③非晶碳（ACL：Amorphous Carbon Layer、旋塗碳：SOC）、④TiN（氮化鈦）、⑤金屬氧化物（ZrO2、HfO2）。各材料的抗蝕刻性、光吸收特性、膜應力與附著性不同，依製程需求選擇與組合。
在多重圖案化（SADP、SAQP）中，硬遮罩扮演核心角色。SADP是在核心硬遮罩上形成側壁間隔層，選擇性移除核心後，以側壁間隔層作為蝕刻遮罩。此製程的每個步驟都反覆進行ALD沉積、非等向性蝕刻與選擇性蝕刻，對設備（ALD設備、蝕刻機）的精度要求極為嚴格。
在先進節點（3nm以下），3層以上的硬遮罩堆疊（有機碳層＋SiON層＋光阻）已成為標準。透過設計使各層對不同蝕刻劑（CF4系、O2系、CxHyFz系）具有不同的選擇比，實現微細圖案的多段轉移。這種複雜的堆疊設計需要設備、材料與製程的緊密協作。
硬遮罩的沉積使用CVD（PECVD、SACVD）、ALD與旋轉塗佈（SOC/SOG）。應用材料（PECVD設備）、科林研發（ALD、CVD）、JSR（SOC材料）、默克（SOG材料）為主要供應商。隨著轉向EUV，對應EUV的新世代硬遮罩（在EUV光下具高對比、對應MOR的HM）也在開發中。