Aspect® S

高アスペクト比構造・膜・エピ構造を測る、モデルベースの赤外反射率計測装置。

Aspect Sとは

Aspect S は、Onto Innovation のインラインの非破壊のモデルベース赤外反射率計測装置です。高アスペクト比の構造、膜、エピ構造の重要な工程管理を可能にします。

高アスペクト比の工程が多くの分野で使われるなか、カーボン膜のハードマスクやエッチングした 3D 構造の寸法と特性の監視が必要になっています。

集積回路の製造で使う層やエッチング構造の寸法と均一性を、高スループット、低い所有コスト、非接触・非破壊で測ります。スポットが小さいため、スクライブラインのターゲットの測定にも向いています。

主な特長

•モデルベース赤外反射率
•カーボンハードマスクの計測
•小スポット

主な仕様

方式	モデルベース赤外反射率計測・非破壊
測定	カーボンハードマスク・エッチング後 3D 構造の寸法・均一性
特徴	小スポットでスクライブライン上を測定

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	KLASpectraShape™ 12k	KLAAxion® T2000	Onto InnovationAtlas® V	Onto InnovationAtlas® G6	Onto InnovationAtlas® III+	Onto InnovationAspect®	Onto InnovationAspect® S	ノヴァ・メジャリング・インスツルメンツ（Nova）Nova PRISM
方式	—	X 線による CD・形状計測（非破壊）	—	OCD（光学 CD）・薄膜計測	分光反射率＋分光エリプソメトリ	赤外光学 CD（IRCD）・非破壊	モデルベース赤外反射率計測・非破壊	—
測定項目	CD・メタルゲートリセス・側壁角・レジスト高さ・ピッチウォーキング	曲がり・反り・CD プロファイル・エッチング深さ・楕円度・傾き	CD・埋もれ構造・GAA のナノワイヤ個別寸法	—	—	—	—	CD・形状（弱い感度のパラメータを含む）
主要用途	先端ロジック・メモリの寸法管理	3D NAND・DRAM の高アスペクト比構造	GAA・3D NAND・DRAM の工程管理	—	—	—	—	成膜・エッチング工程のインライン管理
測定方式	分光エリプソメトリー＋反射率（多入射角・偏光）	—	DUV 4×4 ミュラー行列 SE＋偏光垂直入射反射率	—	—	—	—	分光干渉＋分光反射＋分光エリプソメトリー
関連機種	SpectraShape 11k／10K	—	Atlas G6（次世代機）	—	—	—	—	—
特徴	—	—	—	新光学設計で S/N・分光安定性・精度を向上、AI によるレシピ開発	—	—	小スポットでスクライブライン上を測定	—
対象	—	—	—	GAA・次世代 HBM・縦型 DRAM	—	3D NAND・3D DRAM	—	—
測定	—	—	—	—	—	高アスペクト比構造の Z 方向プロファイル	カーボンハードマスク・エッチング後 3D 構造の寸法・均一性	—