Axcelis Technologies/高電流イオン注入装置

Purion H(Purion H6)

スキャンドスポットビーム方式の高電流イオン注入装置。注入角度とドーズを独立に制御でき、汚染管理を重視した設計となっている。

Purion Hとは

Purion H は、Axcelis Technologies の高電流イオン注入装置のシリーズで、最新世代は Purion H6 です。メーカーは業界トップクラスのプロセス制御を持つ次世代の高電流機としています。

純度の面では、磁場と静電の両方を使う 5 段フィルターのスキャンドスポットビーム構造で、パーティクルの発生と汚染を最小限に抑えます。精度の面では、Purion Vector 角度制御システムで注入角とドーズを独立に制御し、ウェーハ全面でビーム特性を精密に測定します。

生産性の面では、Enhanced Uniformity Scan でスポットビームの利用効率を最大化し、毎時 500 枚の Purion エンドステーションと組み合わせることで、高電流イオン注入の生産性の基準になるとしています。同じ Purion プラットフォームに、中電流の Purion M と高エネルギーの Purion XE があります。

主な特長

  • •5 段フィルター(磁場・静電)のスキャンドスポットビーム
  • •Purion Vector による注入角・ドーズの独立制御
  • •Enhanced Uniformity Scan と 500wph エンドステーション

主な仕様

区分高電流イオン注入装置
ビーム方式スキャンドスポットビーム
角度制御Purion Vector 角度制御システム
エンドステーションPurion 500 wph エンドステーション対応
主要用途ソース/ドレインなどの高ドーズ注入

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目Axcelis TechnologiesPurion H(Purion H6)Applied MaterialsVIISta Trident住友重機械イオンテクノロジーSHX-Ⅲ(HC)
区分高電流イオン注入装置高電流イオン注入装置(枚葉式)高電流イオン注入装置
ビーム方式スキャンドスポットビームデュアルマグネット リボンビームビームスキャンとメカニカルスキャンの組合せ
主要用途ソース/ドレインなどの高ドーズ注入先端ノードの高電流注入高ドーズ・極低エネルギー注入
1機種だけが掲載している項目(6件)
角度制御Purion Vector 角度制御システム——
エンドステーションPurion 500 wph エンドステーション対応——
主要機構—エネルギー純度モジュール(EPM)—
制御項目—エネルギー汚染・均一性・注入角度・ドーズレート—
特徴——極低エネルギー領域での高い生産性
エネルギー範囲——0.2 ~ 60 keV

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •先端ロジック・メモリ(DRAM・NAND)の高電流注入
  • •イメージセンサー・パワーデバイス・成熟プロセス

掲載カテゴリ

Purion Hは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

Axcelis Technologies

イオン注入装置の専業メーカー。Purionシリーズで低〜高エネルギーの注入をカバーし、先端ロジック・メモリ・SiCパワー半導体の製造を支える。

Axcelis Technologies の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

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出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-06
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