Purion M
Purionプラットフォームの中電流機。高電流のPurion H、高エネルギーのPurion XEと同一プラットフォームを共有する。
Purion Mとは
Purion M は、Axcelis Technologies の中電流イオン注入装置です。高電流の Purion H、高エネルギーの Purion XE と同じ Purion プラットフォームを共有しています。中電流の中でも最も幅広いドーズ範囲を持ち、変化する注入要求に柔軟に対応します。
精密なスポットビームライン技術と毎時 500 枚の枚葉プラットフォームを組み合わせ、2keV〜1MeV という幅広いエネルギー範囲で、低エネルギー・中ドーズの用途、とくにウェル、チャネル、HALO の注入に高い信頼性・精度・生産性を提供します。競合機を大きく超える高エネルギー能力を持つため、重い元素の注入にも向いています。
磁場と静電の両方でフィルタリングするハイブリッド・ビームライン設計で、すべてのエネルギーで金属汚染を抑え、イメージセンサー用途に適しています。X・Y 方向の角度をその場で計測・制御します。単一マグネットのビームライン設計により、競合機よりエネルギー効率が 20% 高いとしています。
主な特長
- •エネルギー範囲 2keV〜1MeV、幅広いドーズ
- •500wph の枚葉プラットフォーム
- •ハイブリッド（磁場・静電）フィルタリングで低金属汚染
- •X・Y 角度のその場計測・制御
主な仕様
| 区分 | 中電流イオン注入装置 |
|---|---|
| プラットフォーム | Purion（H／M／XE 共通） |
| エネルギー範囲 | 2 keV ～ 1 MeV |
| スループット | 500 WPH（枚葉プラットフォーム） |
| 主要用途 | ウェル・チャネル・HALO・ソースドレインの中ドーズ注入 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Applied MaterialsVIISta 900XP | Axcelis TechnologiesPurion M | 日新イオン機器EXCEED3000AH | 住友重機械イオンテクノロジーMC3-Ⅱ(MC) |
|---|---|---|---|---|
| 区分 | 中電流イオン注入装置 | 中電流イオン注入装置 | 中電流イオン注入装置 | 中電流イオン注入装置 |
| 主要用途 | ウェル形成・しきい値調整などの精密注入 | ウェル・チャネル・HALO・ソースドレインの中ドーズ注入 | 注入角度・エネルギー精度が要求される中ドーズ注入 | ウェル形成・しきい値調整注入 |
| 関連機種 | VIISta 900 3D | — | EXCEED400HY（水素注入） | SAion（高電流／中電流一体型） |
| エネルギー範囲 | 300 keV（+ 価数）／600 keV（++ 価数） | 2 keV ～ 1 MeV | — | — |
1機種だけが掲載している項目（6件）
| 重視項目 | 精度・クリーンさ・生産性 | — | — | — |
|---|---|---|---|---|
| プラットフォーム | — | Purion（H／M／XE 共通） | — | — |
| スループット | — | 500 WPH（枚葉プラットフォーム） | — | — |
| 対応ウェハ径 | — | — | 300 mm | — |
| 系譜 | — | — | EXCEED2000（1994年）以来の中電流シリーズ | — |
| 特徴 | — | — | — | 操作性と信頼性を重視した設計 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •ウェル・チャネル・HALO 注入
- •ソース／ドレイン接合の形成
- •イメージセンサー
掲載カテゴリ
Purion Mは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
イオン注入装置の専業メーカー。Purionシリーズで低〜高エネルギーの注入をカバーし、先端ロジック・メモリ・SiCパワー半導体の製造を支える。