高電流イオン注入装置メーカー4社
高電流イオン注入装置は、10mAを超える大電流ビームで高ドーズ注入を行う装置です。ソース／ドレインの形成、ポリシリコンゲートのドーピング、コンタクト抵抗低減のための高濃度層形成など、大量のドーパントを短時間で打ち込む工程を担います。大電流ゆえにウェハの帯電と温度上昇が問題となるため、電子シャワーによる中和機構とウェハ冷却が装置の要になります。スループットが生産コストへ直結するカテゴリであり、1台あたりの処理枚数が装置選定の主要な指標になります。
主要特徴
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Axcelis TechnologiesPurion H（Purion H6） | Applied MaterialsVIISta Trident | 住友重機械イオンテクノロジーSHX-Ⅲ(HC) |
|---|---|---|---|
| 区分 | 高電流イオン注入装置 | 高電流イオン注入装置（枚葉式） | 高電流イオン注入装置 |
| ビーム方式 | スキャンドスポットビーム | デュアルマグネット リボンビーム | ビームスキャンとメカニカルスキャンの組合せ |
| 主要用途 | ソース／ドレインなどの高ドーズ注入 | 先端ノードの高電流注入 | 高ドーズ・極低エネルギー注入 |
1機種だけが掲載している項目（6件）
| 角度制御 | Purion Vector 角度制御システム | — | — |
|---|---|---|---|
| エンドステーション | Purion 500 wph エンドステーション対応 | — | — |
| 主要機構 | — | エネルギー純度モジュール（EPM） | — |
| 制御項目 | — | エネルギー汚染・均一性・注入角度・ドーズレート | — |
| 特徴 | — | — | 極低エネルギー領域での高い生産性 |
| 関連機種 | — | — | NV-GSDⅢ-180・SAion（高電流／中電流一体型） |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
Purion H（Purion H6）
スキャンドスポットビーム方式の高電流イオン注入装置。注入角度とドーズを独立に制御でき、汚染管理を重視した設計となっている。
| 区分 | 高電流イオン注入装置 |
| ビーム方式 | スキャンドスポットビーム |
| 角度制御 | Purion Vector 角度制御システム |
| エンドステーション | Purion 500 wph エンドステーション対応 |
| 主要用途 | ソース／ドレインなどの高ドーズ注入 |
VIISta Trident
枚葉式の高電流イオン注入装置。デュアルマグネットのリボンビーム構成にエネルギー純度モジュール（EPM）を組み合わせ、急峻な注入プロファイルを形成する。
| 区分 | 高電流イオン注入装置（枚葉式） |
| ビーム方式 | デュアルマグネット リボンビーム |
| 主要機構 | エネルギー純度モジュール（EPM） |
| 制御項目 | エネルギー汚染・均一性・注入角度・ドーズレート |
| 主要用途 | 先端ノードの高電流注入 |
SHX-Ⅲ(HC)
国内のイオン注入装置メーカーによる高電流機。ビームスキャンとメカニカルスキャンを組み合わせ、極低エネルギー領域での生産性を確保する。
| 区分 | 高電流イオン注入装置 |
| ビーム方式 | ビームスキャンとメカニカルスキャンの組合せ |
| 特徴 | 極低エネルギー領域での高い生産性 |
| 関連機種 | NV-GSDⅢ-180・SAion（高電流／中電流一体型） |
| 主要用途 | 高ドーズ・極低エネルギー注入 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
4社の主要メーカー
イオン注入装置の専業メーカー。Purionシリーズで低〜高エネルギーの注入をカバーし、先端ロジック・メモリ・SiCパワー半導体の製造を支える。
- •イオン注入装置のグローバル主要サプライヤー
- •Purionシリーズによる幅広いドーズ・エネルギー対応
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
住友重機械工業グループのイオン注入装置専業メーカー。半導体前工程のドーパント注入から、太陽電池・パワー半導体向けの表面改質装置まで幅広く展開する。
- •イオン注入装置の専業メーカー
- •パワー半導体向け高エネルギー注入に対応
イオン注入装置の専業メーカーとして、中電流・高電流・超高エネルギーイオン注入装置を展開。パワー半導体・CMOS向けドーピング装置で高い技術力を誇る。
- •中電流・高電流・超高エネルギー全タイプのイオン注入装置を製造
- •パワー半導体向け大電流注入装置で強い実績
関連カテゴリ
ビームライン式イオン注入装置は、イオン源で生成した不純物イオンを質量分析磁石で種別分離し、高エネルギーで加速してウェハに打ち込む装置です。
メーカー 5 社高エネルギーイオン注入装置高エネルギーイオン注入装置は、MeV級まで加速したイオンを基板の深部へ打ち込む装置です。
メーカー 4 社中電流イオン注入装置中電流イオン注入装置は、ビーム電流が数十μA〜数mA程度の領域を受け持つイオン注入装置です。
メーカー 5 社プラズマドーピング装置プラズマドーピング装置（PLAD：Plasma Doping）は、プラズマ中に不純物ガスを導入し、ウェハ表面全体に一様にイオンを照射・注入する装置です。
メーカー 2 社