VIISta Trident
枚葉式の高電流イオン注入装置。デュアルマグネットのリボンビーム構成にエネルギー純度モジュール（EPM）を組み合わせ、急峻な注入プロファイルを形成する。
VIISta Tridentとは
VIISta Trident は、Applied Materials の枚葉式 高電流イオン注入装置です。メモリを混載した CMOS 集積回路では注入工程が 60 を超えることもあり、その多くがデバイス性能を左右します。Trident はこうした先端ノードの要求に向けた機種です。
量産実績のある VIISta 高電流プラットフォームの枚葉アーキテクチャに、デュアルマグネットのリボンビームとエネルギー純度モジュール（EPM）を組み合わせ、急峻で制御された注入プロファイルを形成します。EPM はビームライン部品から出るパーティクルも取り除き、ウェーハを汚染から隔離します。
高電流機として唯一、独自の閉ループ制御でビーム角を測定・補正でき、ゼロ度注入や高チルト注入の入射角を高い精度と再現性で制御します。極低温注入機能を加えた Trident Crion 構成もあり、ダメージエンジニアリングや材料改質に用いられます。
主な特長
- •デュアルマグネット リボンビーム＋エネルギー純度モジュール（EPM）
- •エネルギー汚染・均一性・注入角・ドーズレートを高精度に制御
- •閉ループ制御によるビーム角の測定・補正
- •極低温注入の Trident Crion 構成
主な仕様
| 区分 | 高電流イオン注入装置（枚葉式） |
|---|---|
| ビーム方式 | デュアルマグネット リボンビーム |
| 主要機構 | エネルギー純度モジュール（EPM） |
| 制御項目 | エネルギー汚染・均一性・注入角度・ドーズレート |
| 主要用途 | 先端ノードの高電流注入 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Axcelis TechnologiesPurion H（Purion H6） | Applied MaterialsVIISta Trident | 住友重機械イオンテクノロジーSHX-Ⅲ(HC) |
|---|---|---|---|
| 区分 | 高電流イオン注入装置 | 高電流イオン注入装置（枚葉式） | 高電流イオン注入装置 |
| ビーム方式 | スキャンドスポットビーム | デュアルマグネット リボンビーム | ビームスキャンとメカニカルスキャンの組合せ |
| 主要用途 | ソース／ドレインなどの高ドーズ注入 | 先端ノードの高電流注入 | 高ドーズ・極低エネルギー注入 |
1機種だけが掲載している項目（6件）
| 角度制御 | Purion Vector 角度制御システム | — | — |
|---|---|---|---|
| エンドステーション | Purion 500 wph エンドステーション対応 | — | — |
| 主要機構 | — | エネルギー純度モジュール（EPM） | — |
| 制御項目 | — | エネルギー汚染・均一性・注入角度・ドーズレート | — |
| 特徴 | — | — | 極低エネルギー領域での高い生産性 |
| エネルギー範囲 | — | — | 0.2 ～ 60 keV |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •先端ロジック・メモリ・ファウンドリの高電流注入（ソース・ドレインなど）
- •極低温注入によるダメージ制御・材料改質
掲載カテゴリ
VIISta Tridentは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
Applied Materials
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
高電流イオン注入装置のほかの製品
Applied Materialsのほかの製品
Reflexion LK Prime CMP（酸化膜CMP装置）Reflexion LK CMP（金属CMP装置）Vantage Vulcan RTP（RTP（急速熱処理）装置）VIISta 900XP（中電流イオン注入装置）Producer Celera PECVD（PECVD（プラズマCVD））Producer Precision APF PECVD（PECVD（プラズマCVD））Kinex™ Die-to-Wafer Hybrid Bonding System（ハイブリッドボンディング装置）Centris® Sym3® Y Etch（ドライエッチング装置）Sym3™ Z Magnum™ Etch（シリコンエッチャー）Centura® Etch（ポリシリコンエッチャー）Producer® Selectra® Etch（酸化膜エッチャー）Producer® Selectra® Mo Etch（金属エッチャー）Olympia® ALD（ALD装置）Producer® XP Precision® CVD（CVD装置）Endura® PVD（PVD装置）Centura™ Prime™ Epi（エピタキシャル成長装置）Raider® ECD（めっき装置（電解銅めっき））Centura® Tetra™ Z Photomask Etch（マスクエッチング装置）Centura® Tetra™ EUV Advanced Reticle Etch（マスクエッチング装置）Vantage® Astra™ DSA（レーザーアニール装置）VIISta® PLAD（プラズマドーピング装置）SEMVision™ H20（レビューSEM）VeritySEM® 20 CD Metrology（CD-SEM）Centura® Silvia™ Etch（TSV形成装置）VIISta® 3000XP（高エネルギーイオン注入）（CMOSイメージセンサー製造装置）VIISta® 900 3D（ホットイオン注入）（SiCパワー半導体製造装置）Mirra® Durum™ CMP（SiCパワー半導体製造装置）SmartFactory MES（生産管理システム（MES））
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-05