乾式蝕刻設備是什麼
乾式蝕刻設備（乾式蝕刻機）是使用電漿或反應性氣體，在氣相中精密去除矽・氧化膜・金屬薄膜等的半導體前段製程設備一覽。收錄RIE（反應性離子蝕刻）・ICP（電感耦合電漿）・CCP（電容耦合電漿）・ALE（原子層蝕刻）各方式，以及科林研發（Lam Research）・應用材料（Applied Materials）・東京威力科創（TEL）等主要廠商的產品。
重點整理
以電漿產生的活性物種實現精密的非等向性蝕刻
依用途選擇CCP・ICP・ECR等多種電漿方式
原子層蝕刻（ALE）可進行以1個原子層為單位的超精密去除
藉由選擇比控制，只選擇性去除目標層
先進邏輯・記憶體兩者的超微細圖形化不可或缺
常見問題
什麼是乾式蝕刻設備？
乾式蝕刻設備是使用電漿或反應性氣體，在氣相中精密去除半導體晶圓上薄膜或基板材料的設備。負責將微影轉印的圖形刻入晶圓的「圖形轉移」核心工序。相對於濕式蝕刻（液相・藥液），以乾式（氣相）處理，因此在垂直方向具有強烈的非等向性，是微細圖形加工不可或缺的設備。
乾式蝕刻設備有哪些種類？（RIE・ICP・CCP・ALE）
主要種類有①RIE（反應性離子蝕刻）：最標準的方式，結合化學反應與離子轟擊的非等向性蝕刻；②CCP（電容耦合電漿）：在2片平行電極間產生電漿，容易控制壓力・偏壓；③ICP（電感耦合電漿）：以線圈產生高密度電漿，特點是高選擇比・高蝕刻速率；④ALE（原子層蝕刻）：以1個原子層為單位的超精密去除，在2nm以下先進節點的需求日增。以上4種為代表。
乾式蝕刻與濕式蝕刻有什麼不同？
乾式蝕刻以氣相（電漿・反應性氣體）進行非等向性（垂直方向）精密去除，擅長微細圖形轉移。濕式蝕刻是以藥液進行的液相處理，屬於等向性（全方向均勻去除），不適合微細圖形，但適合大量處理・低成本・犧牲層去除・清洗前處理。先進邏輯・記憶體的主要蝕刻工序幾乎都由乾式蝕刻負責。
ICP與CCP有什麼不同？
ICP（電感耦合電漿）以外部線圈產生高密度電漿，實現高蝕刻速率與高選擇比，大量用於FinFET・記憶體的微細加工。CCP（電容耦合電漿）在2片平行電極間產生電漿，可用偏壓功率獨立控制離子能量，擅長氧化膜・硬遮罩蝕刻（接觸孔等）。
乾式蝕刻設備的主要廠商有哪些？
全球3大廠商為科林研發（Lam Research，美國・全球市占約40%）、應用材料（Applied Materials，美國）、東京威力科創（TEL，日本）。科林研發在3D NAND的超高深寬比蝕刻特別強，應用材料以CCP蝕刻機、TEL以Tactras系列競爭。在日本，日立高新技術（Hitachi High-Tech）在特定領域也具有存在感。
什麼是ALE（原子層蝕刻）？
ALE（Atomic Layer Etching・原子層蝕刻）是將電漿反應逐一原子層控制、進行精密去除的技術。以表面活化步驟與離子轟擊步驟交替重複的循環方式，每1個循環只去除數Å至1個原子層。可說是ALD的逆向製程，在FinFET・GAA・2nm以下先進節點的高精度閘極・間隔層加工中，採用持續擴大。
濕式蝕刻與乾式蝕刻如何區分使用？
濕式蝕刻為等向性（全方向去除），適合大量處理・低成本，適用於犧牲層去除或清洗用途。乾式蝕刻的非等向性（垂直方向選擇性）優異，用於要求微細圖形轉移精度的前段製程微影後加工。
選擇乾式蝕刻設備的重點是什麼？
主要選擇標準為①蝕刻對象材料（矽/氧化膜/金屬/氮化膜）、②要求的選擇比與非等向性、③製程節點（先進或成熟）、④對應晶圓尺寸（300mm/200mm）、⑤產能（WPH）、⑥是否支援ALE。依用途選擇合適的電漿方式（ICP/CCP）與設備廠商。
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