尾氣處理設備（Scrubber、Abatement）是將製造設備排出的製程氣體無害化後，再排至工廠排氣系統的晶圓廠基礎設施設備。半導體製程使用的矽烷（SiH₄）、砷化氫（AsH₃）、氯系氣體、氟系氣體具有可燃性、毒性與強烈的溫室效應，無論在法規或環境上都不允許直接排放至大氣。
處理方式大致有4種：①燃燒式（以燃燒器分解）；②電漿式（以電漿解離）；③加熱觸媒式；④濕式（以水或鹼液吸收）。許多設備使用結合這些方式的複合型。例如一般採用兩段式構成：先以燃燒將矽烷氧化為SiO₂粉體，再以濕式將粉體洗除。
近年最受矚目的是PFC（全氟碳化物）對策。蝕刻與腔體清潔所使用的CF₄、C₄F₈、NF₃、SF₆，其全球暖化潛勢為CO₂的數千～2萬倍以上，大氣壽命也長，是半導體產業範疇1排放的主要來源。高溫燃燒或電漿分解所帶來的高分解效率（DRE），以及導入替代氣體（如NF₃遠端電漿化）等措施正同步推進。
運用上的課題是燃燒產生的固體粉末（SiO₂等）沉積造成的管路堵塞，以及濕式部分的結垢。由於直接連接真空幫浦的排氣側，尾氣處理設備堵塞會使幫浦背壓上升，最終影響製程腔的壓力控制。乾式幫浦與尾氣處理設備經常作為一體的單元進行設計與保養。
供應以Edwards、Kanken Techno、荏原製作所等為主。這是直接左右晶圓廠環境負荷（GHG排放）的設備，大型元件廠商的減碳目標推動了汰換為高效率尾氣處理設備的投資。