ARDE（Aspect Ratio Dependent Etching，深寬比相依蝕刻）是乾式蝕刻中，孔或溝槽的深度與寬度之比（深寬比）越大，蝕刻推進速度越慢的現象。即使在同一片晶圓上，細圖形也只能挖得比粗圖形淺，而且越往深處挖速度越慢，也稱為 RIE lag。
原因是到達孔底的粒子減少。蝕刻所需的自由基（容易反應的中性粒子）飛行方向雜亂，在又細又深的孔中會撞到側壁而在途中被消耗，到達底部的量減少。離子也一樣，稍微斜飛的離子會撞到側壁而到不了底部。此外，底部產生的反應生成物不容易排出孔外，以及絕緣膜側壁累積電荷使離子軌道彎曲（充電效應，charge-up），也是使速度下降的因素。
ARDE 大時，細孔與粗孔、晶圓上不同位置的深度會不一致，造成孔沒有打穿，或只有粗孔過度蝕刻到下層膜的不良。在堆疊數百層的3D NAND 通道孔這類深寬比達數十到接近100的加工中，是最大的課題之一。可以藉由提高離子能量、降低壓力讓粒子直進、調整氣體組成與溫度、以脈衝電漿釋放電荷等方法抑制。
